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나노 와이어 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137651
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 e-빔 및 SOI기판을 사용하지 않고 실리콘 기판의 측벽에 형성된 보호층 패턴과 통상적인 식각 공정을 이용하여 단결정실리콘 나노 와이어를 제조할 수 있는 나노 와이어 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, e-빔 및 SOI기판을 사용하지 않고 통상적인 포토리쏘그래피공정 및 반도체 기판을 사용하므로 나노와이어의 제조 비용을 절감할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020080133431 (2008.12.24)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1101925-0000 (2011.12.27)
공개번호/일자 10-2010-0074883 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.24)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전국진 대한민국 서울특별시 서초구
2 김현철 대한민국 울산광역시 남구
3 김종혁 대한민국 경상북도

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0888459-04
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0029038-66
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0177443-80
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0177445-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 등록결정서
Decision to grant
2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564458-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상부에 둘 이상의 홈을 형성하는 단계; (b) 상기 홈의 상부 측벽에 보호층 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 보호층 패턴을 식각 마스크로 상기 홈의 저부를 식각하여 상기 홈의 하부 측벽을 형성하는 단계; (d) 상기 홈의 하부 측벽을 식각하는 단계; (e) 상기 보호층 패턴을 제거하는 단계; (f) 상기 둘 이상의 홈 사이의 기판을 식각하여 나노 와이어를 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 (a-1) 상기 기판 상부에 상기 둘 이상의 홈을 정의하는 마스크층 패턴을 형성하는 단계; 및 (a-2) 상기 마스크층 패턴에 의해 노출된 상기 기판을 식각하여 상기 둘 이상의 홈을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 (a-2) 단계는 상기 기판을 상기 나노 와이어의 두께만큼 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 (a-2) 단계는 건식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b-1) 상기 둘 이상의 홈을 포함하는 상기 기판의 전면에 보호층을 형성하는 단계; 및 (b-2) 상기 홈 저부의 보호층을 제거하여 상기 기판의 상부 측벽에 상기 보호층 패턴을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 보호층은 TEOS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 TEOS층의 두께는 100 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 건식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 둘 이상의 홈 중 인접한 두 개의 홈 사이의 하부 측벽이 제거될 때까지 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 (e) 단계는 HF 용액을 이용한 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 (f) 단계는 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 (f) 단계는 상기 둘 이상의 홈 중 인접한 두 개의 홈 사이의 상기 상부 측벽을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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