맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법

  • 기술번호 : KST2015136835
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더블덱 오버행(Double-deck overhang) 게이트 공정을 이용하여 실리콘(Si) 기판 위에 성장된 AlGaN/GaN HEMT 소자의 전류감쇄현상을 개선하고 전력이득 차단주파수를 향상시킬 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명의 실시에에 따른 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법은, (a) 소스와 드레인이 이격되게 형성되고 그 사이의 SiNx 패시베이션층에 싱글덱 오버행 게이트가 형성된 표면에 포토레지스트를 평평하게 코팅한 후, O2 플라즈마 애싱을 통해 되식각(ehch back)하여 상기 싱글덱 오버행 게이트 금속의 상부를 노출하는 단계와, (b) 상기 싱글덱 오버행 게이트 금속의 상부가 노출된 위에 서로 다른 감도를 가지는 감광막을 2중으로 코팅한 후 현상하여 더블덱 오버행 게이트 패턴을 형성하는 단계, 및 (c) 상기 더블덱 오버행 게이트 패턴 상에 게이트 금속을 증착하고, 리프트 오프(lift off) 공정을 통하여 2중 감광막을 제거하는 단계; 를 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020150026312 (2015.02.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0100575 (2015.09.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140021925   |   2014.02.25
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.25)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울특별시 강남구
2 김동환 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박형근 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** *층, *층 (역삼동,옥신타워)(성화국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0185596-37
2 보정요구서
Request for Amendment
2015.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0053305-55
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0246453-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 보정요구서
Request for Amendment
2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0059144-30
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2015.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0280093-35
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0008275-23
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0437599-44
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0937480-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 소스와 드레인이 이격되게 형성되고 그 사이의 SiNx 패시베이션층에 싱글덱 오버행 게이트가 형성된 표면에 포토레지스트를 평평하게 코팅한 후, O2 플라즈마 애싱을 통해 되식각(ehch back)하여 상기 싱글덱 오버행 게이트 금속의 상부를 노출하는 단계;(b) 상기 싱글덱 오버행 게이트 금속의 상부가 노출된 위에 서로 다른 감도를 가지는 감광막을 2중으로 코팅한 후 현상하여 더블덱 오버행 게이트 패턴을 형성하는 단계; 및(c) 상기 더블덱 오버행 게이트 패턴 상에 게이트 금속을 증착하고, 리프트 오프(lift off) 공정을 통하여 2중 감광막을 제거하는 단계;를 포함하는 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계에서 포토레지스트의 두께를 상기 SiNx 패시베이션층 상부로 돌출된 싱글덱 오버행 게이트의 높이보다 2배 이상 두껍게 코팅하는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 포토레지스트는 공중합체(copolymer)인 MMA인 것을 특징으로 하는 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 2중 감광막은 PMGI/ZEP:thinner이고, 현상액은 MIBK:MEK인 것을 특징으로 하는 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서 상기 더블덱 오버행 게이트 패턴의 크기를 기형성되어 있던 싱글덱 오버행 게이트 헤드와 동일한 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (a)단계 이전에 SiNx 패시베이션층 위에 제1감광막을 코팅하고 노광을 통해 개구부를 형성한 다음 식각을 통해 SiNx 패시베이션층에 개구부를 형성한 후 리프트 오프 공정을 통해 제1감광막을 제거하고,상기 개구부가 형성된 SiNx 패시베이션층 위에 서로 다른 감도를 갖는 제2감광막을 2중으로 코팅하고 노광을 통해 싱글덱 오버행 게이트 패턴을 형성한 후, 싱글덱 오버행 게이트 패턴 상에 게이트 금속을 증착하고, 리프트 오프 공정을 통해 2중의 제2감광막을 제거하여 싱글덱 오버형 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.