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반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법
- 기술번호 : KST2015159667
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 은계 화합물이 포함된 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리를 이용한 화학적 기계적 연마 공정으로 반도체 소자용 구리 배선의 표면을 은으로 치환하는 단계와; CoWP 형성을 위한 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리를 이용하여 화학적 기계적 연마 공정으로 은으로 치환된 표면상에 산화 및 확산 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 별도의 추가공정, 즉 팔라듐을 이용한 구리 배선의 활성화없이 연속적인 CMP 공정만으로 구리 배선에 산화 및 확산 방지막이 형성됨으로써 생산성 및 공정의 효율이 향상된다.구리, 배선, CMP, 은, 캡핑 레이어, CoWP, 산화 방지막, 확산 방지막 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/304 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/3212(2013.01) H01L 21/3212(2013.01) H01L 21/3212(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070052737 (2007.05.30) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0856543-0000 (2008.08.28) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080904) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.05.30) |
| 심사청구항수 | 44 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김재정 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 강민철 | 대한민국 | 서울 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 허진석 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0397554-15 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.03.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0023225-82 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0219952-35 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0453358-11 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.06.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0453373-96 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.08.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0426382-10 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 은계 화합물이 포함된 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리를 이용한 화학적 기계적 연마 공정으로 반도체 소자용 구리 배선의 표면을 은으로 치환하는 단계와;코발트 화합물, 텅스텐 화합물 및 인이 포함된 환원제를 포함하는 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리를 이용한 화학적 기계적 연마 공정으로 상기 은으로 치환된 표면상에 산화 및 확산 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 은계 화합물이 포함된 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리는 상기 은계화합물에 산화제, 연마제, 부식 억제제, 착물 형성제 및 pH 조절제가 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 산화제가 과산화물(peroxide) 계열 산화제인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 과산화물(peroxide) 계열 산화제가 과수(hydrogen peroxide)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 과수(hydrogen peroxide)는 0 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 과수(hydrogen peroxide)는 0 |
| 7 |
7 제 2항에 있어서, 상기 연마제가 알루미나(alumina), 실리카(silica), 지르코니아(zirconia), 세리아(ceria), 티타니아(titania) 및 게르마니아(germania)로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 연마제는 크기가 5nm ~ 1000nm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 9 |
9 제 7항에 있어서, 상기 연마제의 크기가 10nm ~ 500nm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 10 |
10 제 7항에 있어서, 상기 실리카 연마제는 0 |
| 11 |
11 제 2항에 있어서, 상기 부식 억제제로는, 테트라졸(tetrazole) 화합물, 아민(amine) 계열로 치환된 유도체 및 알킬(alkyl) 계열로 치환된 유도체 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 부식 억제제에는 0 |
| 13 |
13 제 2항에 있어서, 상기 착물 형성제로는, 카르복실산(carboxylic acid)계 화합물중에서 선택된 적어도 어느 하나와 아미노산(amino acid)계 화합물중에서 선택된 적어도 어느 하나를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서, 상기 카르복실산계 화합물은 아세트산(acetic acid), 포름산(formic acid), 말레산(maleic acid), 말산(malic acid), 타르타르산(tartaric acid), 글루타르산(glutaric acid), 시트르산(citric acid) 및 옥살산(oxalic acid)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이며, 상기 아미노산계 화합물은 아르기닌(arginine), 페닐알라닌(phenyl alanine), 글루타민(glutamine), 글리신(glycine), 글루탐산(glutamic acid) 및 세린(serine)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 15 |
15 제 13항에 있어서, 상기 착물 형성제는 0 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 착물 형성제는 0 |
| 17 |
17 제 2항에 있어서, 상기 pH 조절제는 황산, 수산화칼륨 및 암모니아수로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 18 |
18 제 2항에 있어서, 상기 은계 화합물은 silver nitrate, silver(I) permanganate, silver chloride, silver iodide, silver phosphate, silver sulfate, silver carbonate, silver acetate, silver perchlorate, silver lactate, silver cyanide, silver(I) selenide, silver(I) telluride, silver benzoate, silver thiocyanate 및 potassium silver(I) cyanide로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 19 |
19 제 18에 있어서, 상기 은계 화합물은 0 |
| 20 |
20 제 19에 있어서, 상기 은계 화합물은 0 |
| 21 |
21 제 1항에 있어서, 상기 은계 화합물이 포함된 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리의 pH는 7 ~ 14인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 22 |
22 제 1항에 있어서, 상기 은계 화합물이 포함된 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리의 pH는 9 ~ 13인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 23 |
23 제 1항에 있어서, 상기 산화 및 확산 방지막을 형성하기 위한 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리는 상기 코발트 화합물, 텅스텐 화합물 및 인이 포함된 환원제에 착물 형성제와 슬러리 안정제와 pH 조절제가 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 24 |
24 제 1항에 있어서, 상기 코발트 화합물은 CoSO4인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 25 |
25 제 24항에 있어서, 상기 CoSO4는 0 |
| 26 |
26 제 25항에 있어서, 상기 CoSO4는 0 |
| 27 |
27 제 1항에 있어서, 상기 텅스텐 화합물은 텅스텐산나트륨(sodium tungstate)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 28 |
28 제 27항에 있어서, 상기 텅스텐산나트륨은 0 |
| 29 |
29 제 28항에 있어서, 상기 텅스텐산나트륨은 0 |
| 30 |
30 제 23항에 있어서, 상기 착물 형성제는 구연산염(cirate) 계열인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 31 |
31 제 30항에 있어서, 상기 구연산염은 구연산나트륨(sodium citrate)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 32 |
32 제 31항에 있어서, 상기 구연산나트륨은 0 |
| 33 |
33 제 32항에 있어서, 상기 구연산나트륨은 1 wt% ~ 30 wt%의 범위에서 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 34 |
34 제 23항에 있어서, 상기 슬러리 안정제는, 아민(amine) 계열로 치환된 테트라졸(tetrazole) 화합물의 유도체 또는 알킬(alkyl) 계열로 치환된 테트라졸(tetrazole) 화합물의 유도체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 35 |
35 제 34항에 있어서, 상기 슬러리 안정제에는 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)이 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 36 |
36 제 35항에 있어서, 상기 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)은 0 |
| 37 |
37 제 36항에 있어서, 상기 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)은 0 |
| 38 |
38 제 1항에 있어서, 상기 인이 포함된 환원제는 하이포아인산염(hypophosphite) 계열인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 39 |
39 제 38항에 있어서, 상기 인이 포함된 환원제는 하이포아인산나트륨(sodium hypophosphite)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 40 |
40 제 39항에 있어서, 상기 하이포아인산나트륨은 0 |
| 41 |
41 제 40항에 있어서, 상기 하이포아인산나트륨은 0 |
| 42 |
42 제 23항에 있어서, 상기 pH 조절제는 붕산(boric acid)과 수산화나트륨(NaOH)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 43 |
43 제 1항에 있어서, 상기 산화 및 확산 방지막을 형성하기 위한 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리의 pH는 7 ~ 14인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 44 |
44 제 43항에 있어서, 상기 산화 및 확산 방지막을 형성하기 위한 화학적 기계적 연마 공정용 슬러리의 pH는 8 ~ 12인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0856543-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070530 출원 번호 : 1020070052737 공고 연월일 : 20080904 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080814 청구범위의 항수 : 44 유별 : H01L 21/304 발명의 명칭 : 반도체 소자용 구리 배선의 산화 및 확산 방지막 형성방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,023,000 원 | 2008년 08월 29일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 1,008,000 원 | 2011년 08월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 1,008,000 원 | 2012년 08월 24일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 1,008,000 원 | 2013년 08월 16일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,772,000 원 | 2014년 07월 22일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,772,000 원 | 2015년 07월 30일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 1,772,000 원 | 2016년 02월 12일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 2,660,000 원 | 2017년 07월 24일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 1,330,000 원 | 2018년 07월 20일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 1,330,000 원 | 2019년 08월 02일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,390,000 원 | 2020년 08월 20일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0397554-15 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.03.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2008.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0023225-82 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2008.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0219952-35 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0453358-11 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.06.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0453373-96 |
| 8 | 등록결정서 | 2008.08.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0426382-10 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350000630 |
|---|---|
| 세부과제번호 | mostR11-2002-102-00000-0 |
| 연구과제명 | 에너지변환/저장연구센터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2004 |
| 연구기간 | 200207~201102 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1350006065 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R11-2002-102-01001-0 |
| 연구과제명 | 고분자연료전지핵심원천기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200207~200802 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
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