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구리배선 형성방법

  • 기술번호 : KST2015160092
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 구리배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, CMP 공정을 실시함에 있어서 용매제와, 환원제와, pH 조절제와, 착물형성제와, Co(Ⅱ) 이온 또는 Co(Ⅲ) 이온을 포함하는 화합물이 포함된 세정액을 사용하여 완화단계을 실시함으로써 구리배선 상에 캡핑막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 세정액을 사용하여 CMP 공정의 완화단계를 수행하면 추가 공정 없이도 구리배선의 산화 및 확산 방지막으로서의 Co 계열 캡핑막을 형성할 수 있으므로, 공정이 간단해지고 생산성을 향상시킬 수 있다. 반도체, 구리배선, 캡핑막, 화학적 기계적 연마, 세정액
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC H01L 21/7684(2013.01) H01L 21/7684(2013.01)
출원번호/일자 1020080065545 (2008.07.07)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0963842-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자 10-2010-0005493 (2010.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.07)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울 관악구
2 강민철 대한민국 서울 관악구
3 구효철 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0488827-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0056692-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0521504-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0079643-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0079645-95
7 등록결정서
Decision to grant
2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0228100-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 구리층을 형성한 후에, 연마공정과 완화공정을 포함하여 이루어지는 화학적 기계적 연마방법으로 구리배선을 형성하는 방법에 있어서, 용매제와, 환원제와, pH 조절제와, 착물형성제와, Co(Ⅱ) 이온 또는 Co(Ⅲ) 이온을 포함하는 화합물이 포함된 세정액을 사용하여 상기 완화공정을 실시함으로써 상기 구리배선 상에 캡핑막을 형성하는 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 용매제는 탈이온수인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 Co(Ⅱ) 이온을 포함하는 화합물은 Cobalt(Ⅱ) acetate, Cobalt(Ⅱ) acetate tetrahydrate, Cobalt(Ⅱ) acetylacetonate, Cobalt(Ⅱ) acetylacetonate hydrate, Cobalt(Ⅱ) benzoylacetonate, Cobalt(Ⅱ) bromide, Cobalt(Ⅱ) bromide hydrate, Cobalt(Ⅱ) carbonate hydrate, Cobalt(Ⅱ) chloride, Cobalt(Ⅱ) chloride hexahydrate, Cobalt(Ⅱ) cyanide dihydrate, Cobalt(Ⅱ) 2-ethylhexanoate, Cobalt(Ⅱ) fluoride, Cobalt(Ⅱ) fluoride tetrahydrate, Cobalt(Ⅱ) hexafluoroacetylacetonate, Cobalt(Ⅱ) hydroxide, Cobalt(Ⅱ) iodide, Cobalt(Ⅱ) 2,3-naphthalocyanine, Cobalt(Ⅱ) nitrate hexahydrate, Cobalt(Ⅱ) oxalated dihydrate, Cobalt(Ⅱ) oxide, Cobalt(Ⅱ) perchlorate hexahydrate, Cobalt(Ⅱ) phosphate hydrate, Cobalt(Ⅱ) phthalocyanine, Cobalt(Ⅱ) selenide, Cobalt(Ⅱ) sulfate heptahydrate, Cobalt(Ⅱ) sulfate hydrate, Cobalt(Ⅱ) tetrafluoroborate, Cobalt(Ⅱ) thiocyanate 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 Co(Ⅲ) 이온을 포함하는 화합물은 Cobalt(Ⅲ) acetylacetonate 또는 Cobalt(Ⅲ) sepulchrate trichloride인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 Co(Ⅱ) 이온을 포함하는 화합물은 Cobalt(Ⅱ) sulfate heptahydrate를 사용하는 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 Cobalt(Ⅱ) sulfate heptahydrate의 첨가량은 0
7 7
제 6항에 있어서, 상기 Cobalt(Ⅱ) sulfate heptahydrate의 첨가량은 0
8 8
제 1항에 있어서, 상기 환원제는 dimethylamine borane, sodium borohydride, sodium hypophosphite, formaldehyde, hydrazine 및 glyoxylic acid중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 환원제는 dimethylamine borane인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 dimethylamine borane의 첨가량은 0
11 11
제 10항에 있어서, 상기 dimethylamine borane의 첨가량은 0
12 12
제 1항에 있어서, 상기 pH 조절제는 boric acid와 NaOH의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 혼합용액의 첨가량은 0
14 14
제 13항에 있어서, 상기 혼합용액의 첨가량은 0
15 15
제 1항에 있어서, 상기 세정액의 pH는 7 ~ 14인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 세정액의 pH는 8 ~ 12인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
17 17
제 1항에 있어서, 상기 착물형성제는 2염기 또는 3염기의 구연산염을 포함하는 화합물이거나 또는 상기 2염기 또는 3염기의 구연산염의 수화물을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
18 18
제 17항에 있어서, 상기 2염기 또는 3염기의 구연산염을 포함하는 화합물은 ammonium citrate, di-ammonium hydrogen citrate, calcium citrate tribasic tetrahydrate, lithium citrate hydrate, sodium dihydrogen citrate, potassium citrate-1-hydrate, tri-sodium citrate hydrate, sodium citrate, sodium citrate tribasic dihydrate, tributyl citrate, triethyl citrate, trimethyl citrate, citrate phosphate, triethyl O-acetyl citrate, tributyl O-acetyl citrate, trimethyl O-acetyl citrate, sodium citrate dihydrate, potassium citrate, sodium citrate tribasic trihydrate, sodium citrate tribasic dihydrate, phosphate citrate 인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
19 19
제 17항에 있어서, 상기 착물형성제는 sodium citrate인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
20 20
제 19항에 있어서, 상기 착물형성제의 첨가량은 0
21 21
제 20항에 있어서, 상기 착물형성제의 첨가량은 0
22 22
제 1항에 있어서, 상기 세정액의 온도는 50℃ ~ 90℃인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
23 23
제 22항에 있어서, 상기 세정액의 온도는 60℃ ~ 80℃인 것을 특징으로 하는 구리배선 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.