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유도결합 플라즈마 화학기상 증착장치, 이를 이용한도핑공정 없는 ｐ형 산화아연박막 제조 시스템 및 그 방법,광출력 화합물 반도체

  • 기술번호 : KST2015159865
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유도 결합 플라즈마를 화학 기상증착법에 도입하여 별도의 금속 도핑없이 산소유량의 조절만으로 광전소자에 사용되는 p형 산화아연(ZnO) 박막을 제조할 수 있는 p형 산화아연 박막의 제조 시스템 및 그 방법에 관한 것이다. p형 산화아연 박막은 반응 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계와; 산소 가스와 DEZ(diethylzinc, Zn(C2H5)2) 가스를 각각 독립된 제1 및 제2 가스라인을 통하여 반응 챔버 내부로 공급하는 단계와; 유도결합 플라즈마(ICP) 발생장치를 이용하여 챔버 내부로 분사된 산소 가스 및 DEZ 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜서 분해, 활성화시킴에 의해 상기 기판 위에 p형 ZnO 박막을 증착시키는 단계를 거쳐서 얻어진다. 유도결합 플라즈마, 화학기상 증착, p형 ZnO, 도핑
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC C23C 16/509(2013.01) C23C 16/509(2013.01) C23C 16/509(2013.01)
출원번호/일자 1020070110937 (2007.11.01)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0951581-0000 (2010.03.31)
공개번호/일자 10-2009-0044714 (2009.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.01)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남경희 대한민국 서울 관악구
2 이정중 대한민국 서울시 양천구
3 김훈 대한민국 서울 관악구
4 이희용 대한민국 서울 관악구
5 한동훈 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0786692-21
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2007.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0792111-13
3 보정요구서
Request for Amendment		 2007.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0161296-11
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0848014-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0055155-78
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0165908-71
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0372963-25
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0372962-80
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0422927-45
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0637327-01
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0637328-46
14 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0535544-89
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버의 내측에 설치되어, 챔버안으로 도입되는 산소 가스를 균일하게 분사시키는 제1 가스 분사기와; 상기 챔버의 내측의 상기 제1 가스 분사기의 하측에 설치되어, 챔버안으로 도입되는 DEZ(diethylzinc, Zn(C2H5)2) 가스를 균일하게 분사시키는 제2 가스 분사기와; 상기 챔버의 내측의 상기 제1 및 제2 가스 분사기 사이에 설치되어, 상기 제1 및 제2 가스 분사기로부터 각각 분사된 상기 산소 가스 및 DEZ 가스를 플라즈마 상태로 변화시키기 위한 RFI(radio frequency inductively coupled) 코일을 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치와; 상기 챔버 내부의 하측에 배치되어 상부면에 p형 ZnO 박막이 증착되는 기판을 로딩하여 지지하기 위한 기판 로딩장치를 포함하며, 상기 제1 가스 분사기는 플라즈마 내의 전자 온도가 가장 높은 핫스팟 지점에 배치되도록 상기 RFI 코일의 상측에 위치시켜 산소의 분해 활성화를 최적화하는 것을 특징으로 하는 p형 ZnO 박막 제조 시스템
2 2
제1항에 있어서, 운반 가스를 사용하여 상기 챔버 내부의 제2 가스 분사기로 DEZ 가스를 공급하는 버블러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 ZnO 박막 제조 시스템
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 핫스팟 지점은 랑뮈어 프로브(Langmuir probe)를 이용하여 검출하는 것을 특징으로 하는 p형 ZnO 박막 제조 시스템
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스 분사기에 각각 연결되어 산소 가스와 DEZ 가스를 공급하는 제1 및 제2 가스라인과; 상기 제1 및 제2 가스라인으로 공급되는 산소 가스와 DEZ 가스의 응축을 방지하기 위한 가열 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 ZnO 박막 제조 시스템
7 7
제1항에 있어서, 상기 RFI 코일에 인가되는 RF 파워는 50~300W로 설정되며, 챔버 내부의 증착온도는 200~300℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 p형 ZnO 박막 제조 시스템
8 8
반응 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계와; 상기 챔버의 내측에 설치되어 챔버안으로 도입되는 산소 가스를 균일하게 분사시키는 제1 가스 분사기와 상기 챔버의 내측의 상기 제1 가스 분사기의 하측에 설치되어 챔버안으로 도입되는 DEZ(diethylzinc, Zn(C2H5)2) 가스를 균일하게 분사시키는 제2 가스 분사기를 통하여 각각 산소 가스와 DEZ(diethylzinc, Zn(C2H5)2)가스를 상기 반응 챔버 내로 공급하는 단계와; 상기 챔버의 내측의 상기 제1 및 제2 가스 분사기 사이에 설치되어, 상기 제1 및 제2 가스 분사기로부터 각각 분사된 상기 산소 가스 및 DEZ 가스를 플라즈마 상태로 변화시키기 위한 RFI(radio frequency inductively coupled) 코일을 구비한 유도결합 플라즈마(ICP) 발생장치를 이용하여 상기 챔버 내로 분사된 상기 산소 가스와 DEZ 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 상기 기판 위에 p형 ZnO 박막을 증착시키는 단계를 포함하며, 상기 제1 가스 분사기에서 분사되는 산소 가스는 플라즈마 내의 전자 온도가 가장 높은 핫스팟 지점으로 공급되어 산소의 분해 활성화를 최적화하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마(ICP)를 이용한 p형 ZnO 박막 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제8항에 있어서, 상기 유도결합 플라즈마 발생장치에 구비된 RFI(radio frequency inductively coupled) 코일에 인가되는 RF 파워는 50~300W로 설정되며, 챔버 내부의 증착온도는 200~300℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 ICP를 이용한 p형 ZnO 박막 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 산소 유량의 조절에 따라 p형 ZnO 박막이 형성되며, 산소 가스의 공급 유량은 2~50sccm 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 ICP를 이용한 p형 ZnO 박막 제조방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판인 것을 특징으로 하는 ICP를 이용한 p형 ZnO 박막 제조방법
14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.