1 |
1
기판의 전면에 절연 물질로 이루어진 제1층을 형성하는 단계;상기 기판의 후면에 제2층을 형성하는 단계;상기 제2층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 제2층을 마스크로 이용하여 상기 기판의 후면을 식각하여 상기 기판의 전면과 후면을 관통하는 관통공을 형성함으로써, 상기 제1층의 상기 기판과 대향하는 면의 일부를 하나 이상 노출시키는 단계;상기 기판의 후면을 통하여 상기 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하는 단계; 및상기 제1층의 상기 기판과 대향하는 면의 반대면 상에 대상 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하는 단계는,상기 제1층의 노출된 부분이 투과를 통한 물성측정이나 분석이 가능한 두께가 되도록, 상기 제1층의 노출된 부분을 식각하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하는 단계는,상기 제1층의 노출된 부분의 두께가 5 ~ 20nm가 되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
4 |
4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 투과를 통한 물성측정은 투과율(transmittance) 측정이고,상기 투과를 통한 분석은 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope, TEM) 분석인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
5 |
5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 전면 부분의 상기 관통공의 크기는 20 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
6 |
6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 관통공은,화학적 식각 방법이나 샌드블라스트(sandblast)와 같은 물리적 식각 방법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
7 |
7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층을 형성하는 단계와 상기 제2층을 형성하는 단계는 함께 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
8 |
8
제7항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 기판이고,상기 제1층과 상기 제2층은 질화실리콘, 산화실리콘, 산화하프늄 및 산화알루미늄 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지며,상기 기판은 수산화칼륨(KOH)에 의해 식각하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
9 |
9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2층을 패터닝하는 단계는,단위 영역 내의 패턴이 반복되도록 패터닝하고,단위 영역과 단위 영역 사이에, 상기 기판 후면 식각시에 노치(notch)가 형성될 수 있도록 노치 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
10 |
10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 박막 상에 전기적 물성을 측정하기 위한 측정 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 측정 전극은 Van der Pauw 측정이 가능한 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
12 |
12
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 박막은 그래핀(graphene), 질화붕소(BN) 및 금속 칼코젠 화합물(metal dichalcogenide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
|
13 |
13
상면과 하면을 관통하는 관통공이 하나 이상 형성되어 있는 기판;상기 기판 상에 형성되며, 절연 물질로 이루어진 제1층;상기 제1층 상에 형성되는 대상 박막; 및상기 대상 박막 상에 형성되며, 상기 대상 박막의 전기적 물성을 측정하기 위한 측정 전극;을 포함하며,상기 기판의 관통공이 형성되어 있는 영역에 형성되어 있는 제1층의 두께는 투과를 통한 물성측정이나 분석이 가능한 두께인 것을 특징으로 하는 박막 물성 측정 및 분석용 시료
|
14 |
14
제13항에 있어서,상기 측정 전극은,Van der Pauw 측정이 가능한 구조로 배치되어 있으며,금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지고, 접착력을 높이기 위해 티타늄(Ti) 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 물성 측정 및 분석용 시료
|
15 |
15
제13항에 있어서,상기 기판의 관통공이 형성되어 있는 영역에 형성되어 있는 제1층의 두께는 5 ~ 20nm인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
|
16 |
16
제13항에 있어서,상기 투과를 통한 물성측정은 투과율 측정이고,상기 투과를 통한 분석은 투과전자현미경 분석인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
|
17 |
17
제13항에 있어서,상기 기판 전면 부분의 상기 관통공의 크기는 20 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
|
18 |
18
제13항에 있어서,상기 관통공은,상기 기판의 후면에서 전면으로 갈수록 크기가 작아지는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
|
19 |
19
제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 박막은 그래핀(graphene), 질화붕소(BN) 및 금속 칼코젠 화합물(metal dichalcogenide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
|