맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법 및 이에 의해 제작된 시료

  • 기술번호 : KST2019011825
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법 및 이에 의해 제작된 시료에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 시료에서 여러 가지 물성을 측정하거나 분석할 수 있는 시료를 제작하는 방법 및 이에 의해 제작된 시료에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법은 기판의 전면에 절연 물질로 이루어진 제1층을 형성하고, 기판의 후면에 제2층을 형성하고, 제2층을 패터닝하고, 패터닝된 제2층을 마스크로 이용하여 기판의 후면을 식각하여 기판의 전면과 후면을 관통하는 관통공을 형성함으로써 제1층의 기판과 대향하는 면의 일부를 하나 이상 노출시키고, 기판의 후면을 통하여 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하고, 그리고 제1층의 기판과 대향하는 면의 반대면 상에 대상 박막을 형성한다.
Int. CL G01N 1/28 (2006.01.01) G01N 1/36 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01)
CPC G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01)
출원번호/일자 1020160103476 (2016.08.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1737946-0000 (2017.05.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.16)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울특별시 강남구
2 김현미 대한민국 서울특별시 서초구
3 김기주 대한민국 서울특별시 영등포구
4 김민식 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임세준 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 유종우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) K & Y 빌딩 *층(지아이피특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0789817-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0008692-94
4 등록결정서
Decision to grant
2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0332537-85
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 전면에 절연 물질로 이루어진 제1층을 형성하는 단계;상기 기판의 후면에 제2층을 형성하는 단계;상기 제2층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 제2층을 마스크로 이용하여 상기 기판의 후면을 식각하여 상기 기판의 전면과 후면을 관통하는 관통공을 형성함으로써, 상기 제1층의 상기 기판과 대향하는 면의 일부를 하나 이상 노출시키는 단계;상기 기판의 후면을 통하여 상기 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하는 단계; 및상기 제1층의 상기 기판과 대향하는 면의 반대면 상에 대상 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하는 단계는,상기 제1층의 노출된 부분이 투과를 통한 물성측정이나 분석이 가능한 두께가 되도록, 상기 제1층의 노출된 부분을 식각하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하는 단계는,상기 제1층의 노출된 부분의 두께가 5 ~ 20nm가 되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 투과를 통한 물성측정은 투과율(transmittance) 측정이고,상기 투과를 통한 분석은 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope, TEM) 분석인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 전면 부분의 상기 관통공의 크기는 20 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 관통공은,화학적 식각 방법이나 샌드블라스트(sandblast)와 같은 물리적 식각 방법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층을 형성하는 단계와 상기 제2층을 형성하는 단계는 함께 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 기판이고,상기 제1층과 상기 제2층은 질화실리콘, 산화실리콘, 산화하프늄 및 산화알루미늄 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지며,상기 기판은 수산화칼륨(KOH)에 의해 식각하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
9 9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2층을 패터닝하는 단계는,단위 영역 내의 패턴이 반복되도록 패터닝하고,단위 영역과 단위 영역 사이에, 상기 기판 후면 식각시에 노치(notch)가 형성될 수 있도록 노치 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
10 10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 박막 상에 전기적 물성을 측정하기 위한 측정 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 측정 전극은 Van der Pauw 측정이 가능한 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
12 12
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 박막은 그래핀(graphene), 질화붕소(BN) 및 금속 칼코젠 화합물(metal dichalcogenide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법
13 13
상면과 하면을 관통하는 관통공이 하나 이상 형성되어 있는 기판;상기 기판 상에 형성되며, 절연 물질로 이루어진 제1층;상기 제1층 상에 형성되는 대상 박막; 및상기 대상 박막 상에 형성되며, 상기 대상 박막의 전기적 물성을 측정하기 위한 측정 전극;을 포함하며,상기 기판의 관통공이 형성되어 있는 영역에 형성되어 있는 제1층의 두께는 투과를 통한 물성측정이나 분석이 가능한 두께인 것을 특징으로 하는 박막 물성 측정 및 분석용 시료
14 14
제13항에 있어서,상기 측정 전극은,Van der Pauw 측정이 가능한 구조로 배치되어 있으며,금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지고, 접착력을 높이기 위해 티타늄(Ti) 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 물성 측정 및 분석용 시료
15 15
제13항에 있어서,상기 기판의 관통공이 형성되어 있는 영역에 형성되어 있는 제1층의 두께는 5 ~ 20nm인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
16 16
제13항에 있어서,상기 투과를 통한 물성측정은 투과율 측정이고,상기 투과를 통한 분석은 투과전자현미경 분석인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
17 17
제13항에 있어서,상기 기판 전면 부분의 상기 관통공의 크기는 20 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
18 18
제13항에 있어서,상기 관통공은,상기 기판의 후면에서 전면으로 갈수록 크기가 작아지는 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
19 19
제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 박막은 그래핀(graphene), 질화붕소(BN) 및 금속 칼코젠 화합물(metal dichalcogenide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 물성측정 및 분석용 시료
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018034437 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018034437 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 나노·소재원천기술개발 그래핀의 고속 비파괴적 품질평가를 위한 전기적 특성 라이브러리 구축
2 미래창조과학부 서울대학교 첨단융합기술개발 나노이온소자 플랫폼 개발