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미세결정 실리콘 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014037060
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온에서 높은 결정화도를 유지하며 기판에 증착 가능한 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 기판에 대하여 플라즈마 전처리를 하는 플라즈마 전처리 단계 및 기판에 미세결정 실리콘 박막을 증착하는 미세결정 실리콘 박막 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) C23C 16/02 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020100037726 (2010.04.23)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0118238 (2011.10.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시 강남구
2 김선재 대한민국 서울시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0261474-54
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0346249-95
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0657006-77
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0657007-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0739352-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 대하여 플라즈마 전처리를 하는 플라즈마 전처리 단계; 및 상기 기판에 미세결정 실리콘 박막을 증착하는 미세결정 실리콘 박막 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 미세결정 실리콘 박막 형성 단계는 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 미세결정 실리콘 박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 전처리는 헬륨 플라즈마 전처리 또는 수소 플라즈마 전처리인 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 전처리 단계는 상기 기판의 표면 온도가 80 ℃ 내지 150 ℃가 될 때까지 행하여지는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착은 SiH4, 희석 He을 반응 가스로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
6 6
제 2 항에 있어서,상기 미세결정 실리콘 박막 형성 단계에서 챔버 내 증착 압력은 30 mT 내지 250 mT인 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
7 7
제 2 항에 있어서,상기 미세결정 실리콘 박막 형성 단계에서 챔버 내 증착 압력은 50 mT인 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
8 8
제 2 항에 있어서,상기 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착의 유도 결합형 플라즈마의 파워는 600 W 내지 800 W인 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
9 9
제 2 항에 있어서,상기 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착의 유도 결합형 플라즈마의 파워는 700 W인 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 국가지정 연구실사업 High Performance and Stable Nanocrystalline Silicon Thin Film Devices and Circuits for Plastic Electronics