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다양한 단차 구조를 형성하기 위한 기판 식각 방법 및이를 이용한 3차원 마이크로시스템용 방열판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015160409
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다양한 단차 구조를 형성하기 위한 기판 식각 방법과, 3차원 전자 패키지 또는 3차원 MEMS와 같은 3차원 마이크로시스템에 사용하기 적합한 방열판 제조 방법에 관하여 개시한다. 기판에 다양한 단차 구조를 형성하기 위하여, 기판상에 복수의 마스크 패턴을 차례로 적층한다. 상기 복수의 마스크 패턴중 최상부에 있는 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각하고, 사용된 마스크 패턴을 제거한다. 이와 같이 복수의 마스크 패턴을 차례로 식각 마스크로 이용하는 기판 식각 및 마스크 패턴 제거를 반복하여 다양한 단차 구조 또는 기판을 관통하는 비아홀을 가지는 기판 구조체를 완성한다. 본 발명에 의하면 단순화된 공정에 의하여 공정 시간 및 단가를 절감할 수 있다. 또한, 3차원 전자 패키지 적층 및 소자 냉각용 방열판 제조를 일련의 공정에 의하여 구현할 수 있으며, 3차원 마이크로시스템의 제조 단가를 낮출 수 있다. 단차, 방열판, DRIE, 관통 비아홀, 3차원 전자 패키지, 3차원 MEMS
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3086(2013.01)
출원번호/일자 1020030021033 (2003.04.03)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0086679 (2004.10.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영창 대한민국 서울특별시강남구
2 윤민승 대한민국 서울특별시성북구
3 민홍석 대한민국 서울특별시광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0118893-18
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.03.17 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0192258-43
3 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2008.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0040649-10
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-5015555-86
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-5017597-39
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0244015-19
7 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2008.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0054343-16
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0077129-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0037081-04
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0210805-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1

기판의 제1 면에서 선택되는 제1 영역을 노출시키는 제1 홀이 형성된 제1 마스크 패턴을 상기 기판상에 형성하는 단계와,

상기 기판상의 제1 영역 내에 포함되는 제2 영역을 노출시키는 제2 홀이 형성된 제2 마스크 패턴을 제1 마스크 패턴 및 상기 기판상의 제1 영역 위에 형성하는 단계와,

상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각하여 제2 영역에 제1 리세스 영역을 형성하는 단계와,

상기 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 리세스 영역이 형성된 기판을 식각하여 상기 제1 영역 및 제2 영역에 각각 서로 다른 단차를 가지는 제2 및 제3 리세스 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴은 각각 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 식각 방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 제2 마스크 패턴의 제2 홀은 상기 제1 마스크 패턴의 제1 홀과 같거나 더 작은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 식각 방법

4 4

제1항에 있어서,

상기 제1 리세스 영역 형성 단계 및 상기 제2 및 제3 리세스 영역 형성 단계에서는 각각 상기 기판을 DRIE (deep reaction ion etching) 방법에 의하여 식각하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 방법

5 5

제1항에 있어서,

상기 제1 리세스 영역을 형성하기 전에 상기 기판상의 제2 영역 내에 포함되는 제3 영역을 노출시키는 제3 마스크 패턴을 상기 제2 마스크 패턴 및 상기 기판상의 제2 영역 위에 형성하는 단계와,

상기 제3 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각하여 상기 제3 영역에 얕은 리세스 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 방법

6 6

제1항에 있어서,

상기 제1 리세스 영역을 형성한 후 상기 기판의 제1 면과 반대측인 제2 면 위에 식각 정지층을 형성하는 단계를 더 포함하고,

상기 제2 및 제3 리세스 영역 형성 단계에서는 상기 제3 리세스 영역이 관통 비아를 구성하도록 상기 제2 영역에서 상기 식각 정지층이 노출될 때까지 상기 기판을 관통식각하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 방법

7 7

(a) 단위 소자를 형성하기 위한 제1 면과, 상기 제1 면의 반대측인 제2 면을 가지는 기판을 준비하는 단계와,

(b) 상기 기판의 제2 면에 서로 다른 단차를 가지는 복수의 리세스 영역을 형성하는 단계를 포함하고,

상기 복수의 리세스 영역을 형성하는 단계는

(b-1) 상기 제2 면의 제1 영역을 노출시키는 제1 마스크 패턴을 상기 기판의 제2 면 위에 형성하는 단계와,

(b-2) 상기 제1 영역중에서 선택되는 제2 영역을 노출시키도록 상기 제1 영역의 일부와 상기 제1 마스크 패턴을 덮는 제2 마스크 패턴을 상기 기판의 제2 면 위에 형성하는 단계와,

(b-3) 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판의 제2 영역을 일부 식각하는 단계와,

(b-4) 상기 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 일부 식각된 제2 영역 및 상기 제1 영역을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

8 8

제7항에 있어서,

상기 복수의 리세스 영역을 형성하는 단계는 상기 기판의 제1 면에 단위 소자를 형성하기 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

9 9

제7항에 있어서,

상기 복수의 리세스 영역을 형성하는 단계는 상기 기판의 제1 면에 단위 소자를 형성한 후에 행해지는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

10 10

제7항에 있어서,

상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴은 각각 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

11 11

제7항에 있어서,

상기 일부 식각된 제2 영역 및 상기 제1 영역을 식각하는 단계에서는 상기 제1 영역에 제1 깊이를 가지는 제1 리세스 영역을 형성하고 상기 제2 영역에 상기 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이를 가지는 제2 리세스 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

12 12

제11항에 있어서,

상기 단계 (b-3)를 행하기 전에 상기 기판의 제2 영역중에서 선택되는 제3 영역을 일부 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

13 13

제7항에 있어서,

상기 일부 식각된 제2 영역 및 상기 제1 영역을 식각하는 단계에서는 상기 제2 영역에 상기 기판을 관통하는 비아홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

14 14

제13항에 있어서,

상기 일부 식각된 제2 영역 및 상기 제1 영역을 식각하기 전에 상기 기판의 제1 면 위에 식각 정지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.