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마이크로-나노 구리 구조물이 형성된 방열판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160560
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로-나노 구조물이 형성된 방열판 및 그 제조방법이 개시된다. 소정의 기기 또는 부품 등으로부터 발생하는 열을 열교환을 통하여 외부로 방출하는 방열판의 표면 상에 마이크로-나노 구리 구조물이 형성되어서, 열방출 특성의 향상을 통해 방열판의 크기를 줄일 수 있고, 이에 따라 전자소자의 소형화가 가능하고, 고집적화된 전자회로 칩의 열방출 문제를 해결함으로써 동작회로의 수명과 성능을 향상시킬 수 있다. 방열판, 마이크로-나노 구리 구조물, 도금, 구리 나노와이어
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H05K 7/20 (2011.01)
CPC H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01)
출원번호/일자 1020040059396 (2004.07.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0010628 (2006.02.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용협 대한민국 경기도 용인시
2 이호영 대한민국 서울특별시 관악구
3 성우용 대한민국 서울특별시 관악구
4 김왈준 대한민국 서울특별시 관악구
5 김대원 대한민국 부산광역시 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진원 대한민국 경기도 군포시 고산로 ***, ***호 진성국제특허법률사무소 (당정동, 맥시움빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0338190-79
2 보정통지서
Request for Amendment
2004.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0051191-10
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0364599-93
4 보정통지서
Request for Amendment
2004.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0054789-16
5 과오납통지서
Notice of Erroneous Payment
2004.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0055514-57
6 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0382369-10
7 과오납통지서
Notice of Erroneous Payment
2004.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0058053-25
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0016908-13
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0169232-05
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0364632-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 기기 또는 부품 등으로부터 발생하는 열을 열교환을 통하여 외부로 방출하는 방열판에 있어서, 상기 방열판의 표면 상에 구리도금으로 형성된 마이크로-나노 구리 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열판
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 마이크로-나노 구리 구조물 상에 구리산화물 나노와이어 또는 구리 나노와이어가 성장된 것을 특징으로 하는 방열판
3 3
구리로 이루어진 방열판을 성형하는 단계; 상기 방열판을 구리 소스와 함께 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및 상기 구리 소스 및 방열판에 전원을 인가하여 상기 방열판 상에 마이크로-나노 구리 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 방열판 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 도금액은 황산구리, 황산, 염산으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 구리 소스 및 방열판에 전원을 인가하는 방법은 펄스전압, 직류전압, 또는 이들을 번갈아 인가하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 마이크로-나노 구리 구조물 상에 구리 산화물 나노와이어를 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 구리산화물 나노와이어의 성장은, 100℃ 이하의 저온에서 구리 표면을 산화 용액과 접촉시켜 기판 표면에 구리 산화물 나노와이어들을 성장시킨 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 산화 용액은 아염소산나트륨 수용액과 수산화나트륨 수용액의 혼합액인 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 산화 용액은 인산삼나트륨 수용액을 더 포함하는 것을 혼합액인 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 구리산화물 나노와이어들의 길이를 늘리기 위하여 구리 소스와 구리 기판에 전기장을 걸어주며, 상기 산화 용액에 잉여의 구리 이온을 주입한 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
11 11
제 6 항에 있어서, 기판 표면에 구리 산화물 나노와이어들을 성장시킨 후에, 상기 구리산화물 나노와이어들을 구리 나노와이어들로 환원시킨 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 구리산화물 나노와이어들의 구리 나노와이어들로의 환원은, 상기 구리산화물 나노와이어들에 450℃ 이하의 온도에서 수소 환원가스를 공급하여 상기 구리산화물 나노와이어들을 구리 나노와이어들로 환원시킨 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 구리산화물 나노와이어들의 구리 나노와이어들로의 환원은, 상기 구리산화물 나노와이어들에 450℃ 이하의 온도에서 수소 환원가스 플라즈마를 공급하여 상기 구리산화물 나노와이어들을 구리 나노와이어들로 환원시킨 것을 특징으로 하는 방열판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.