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제1 기판;상기 제1 기판 위에 절연층을 사이에 두고 형성되는 캐소드 전극 및 게이트 전극;상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부;상기 캐소드 전극과 상기 전자 방출부 사이에 형성되는 열전 소자; 상기 제1 기판에 대향하여 배치되는 제2 기판; 및 상기 제2 기판에 형성되는 발광 유닛을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스
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제1 항에 있어서, 상기 열전 소자가 N형 도핑된 제1 도전층과 P형 도핑된 제2 도전층이 직렬 연결되어 하나의 쌍을 이루어 적어도 1층 이상 병렬로 연결된 구조를 가지는 전자 방출 표시 디바이스
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제2 항에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층이 열전도 특성 상수(ZT)가 0
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제2 항 또는 제3 항에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층이 Bi2Te 및 PbTe 계열의 합금, Al-Ge 및 GaAs-Ga1-xAlxAs 등의 슈퍼격자, Ce3Pt3Sb5, CePd3, Celn3 및 CeFe4P12 계열의 합금, 희토 산화물(rareearth)인 Ru4Sb12 계열의 합금, Ba8Ni6Ge40의 조성비를 조정하여 얻어지는 물질, 및 FeSb2-xSnx 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스
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제1 항에 있어서, 상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60(fullerene), 실리콘 나노와이어 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스
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제1 항에 있어서, 상기 전극들 위로 상기 전극들과 전기적으로 절연되어 상기 제1 기판에 형성되는 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 디바이스
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제1 항에 있어서, 상기 발광 유닛이 형광층과 애노드 전극을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스
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