기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

기판 관통 식각방법

기술번호 : KST2015161034
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	공정을 단순화시키며, 기판의 냉각을 효율적으로 수행시키고, 플라즈마 이온 플럭스의 흐름을 일정하게 유지할 수 있는 기판 관통 식각방법이 개시된다. 본 발명의 일 형태에 따른 기판 관통 식각방법은, 기판의 제1 면 상에 버퍼층과 금속층을 형성하고, 상기 제1 면과 반대되는 상기 기판의 제2 면 상에 식각마스크 패턴을 형성한 후 이를 식각마스크로 하여 상기 기판을 관통 식각한다. 바람직하게는 버퍼층은 이산화실리콘층이며, 금속층은 알루미늄층을 사용한다.MEMS, 관통 식각, 이산화실리콘층, 알루미늄, 보쉬공정, DRIE
Int. CL	H01L 21/3065 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020020018215 (2002.04.03)
출원인	재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자	10-0471744-0000 (2005.02.03)
공개번호/일자	10-2002-0041363 (2002.06.01) 문서열기
공고번호/일자	(20050316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	미국 \| 10/084,622 \| 2002.02.28
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.04.03)
심사청구항수	19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	재단법인서울대학교산학협력재단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	민경덕	대한민국	서울특별시관악구
2	주영창	대한민국	서울특별시강남구
3	송성진	대한민국	서울특별시 동대문구
4	김세준	대한민국	서울특별시관악구
5	민홍석	대한민국	광주광역시북구
6	박건중	대한민국	서울특별시서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	재단법인서울대학교산학협력재단	대한민국	서울특별시 관악구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.04.03	수리 (Accepted)	1-1-2002-0100558-38
2	전자문서첨부서류제출서 Submission of Attachment to Electronic Document	2002.04.04	수리 (Accepted)	1-1-2002-5086331-91
3	서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items	2002.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2002-5136319-59
4	우선권주장증명서류제출서 Submission of Priority Certificate	2002.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2002-5136320-06
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.02.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.03.12	수리 (Accepted)	9-1-2004-0013270-09
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.04.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0149925-99
8	명세서 등 보정서 Amendment to Description, etc.	2004.06.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0267173-59
9	의견서 Written Opinion	2004.06.21	수리 (Accepted)	1-1-2004-0267172-14
10	등록결정서 Decision to grant	2004.07.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0275659-15
11	출원인변경신고서 Applicant change Notification	2005.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2005-5015625-70
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2008-5015497-73
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.08.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5100909-62
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.20	수리 (Accepted)	4-1-2015-5036045-28

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판의 제1 면 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 면과 반대되는 상기 실리콘 기판의 제2 면 상에 식각마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 식각마스크 패턴을 식각마스크로 하여 상기 버퍼층이 노출될 때까지 상기 실리콘 기판을 플라즈마 건식법에 의해 관통 식각하는 단계;상기 관통된 실리콘 기판 하부의 상기 금속층 표면이 노출되도록 상기 버퍼층의 일부를 식각하는 단계;상기 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계;상기 금속층을 제거하는 단계; 및상기 버퍼층을 제거하는 단계를 포함하는 기판 관통 식각방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 제1 면 상에 버퍼층을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 면에 리세스영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 이산화실리콘층임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄층임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 관통 식각하는 단계는 DRIE(Deep Reaction Ion Etching)법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
8	8 기판의 제1 면에 소정 깊이의 리세스영역을 형성하는 단계;상기 리세스영역이 형성된 상기 기판의 제1 면 상에 제1 버퍼층을 형성하는 단계;상기 제1 버퍼층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 면과 반대되는 상기 기판의 제2 면 상에 상기 제1 면에 형성된 상기 리세스영역에 대응하는 영역의 적어도 일부를 개방하는 제1 식각마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 식각마스크 패턴을 식각마스크로 하여 상기 기판을 관통 식각하는 단계를 포함하는 기판 관통 식각방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 기판의 제1 면에 리세스영역을 형성하는 단계는, 상기 기판의 제1 면 상에 제2 식각마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 식각마스크 패턴을 식각마스크로 하여 상기 기판의 일부를 식각하는 단계; 및상기 제2 식각마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 제2 식각마스크 패턴은 포토레지스트 패턴임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
11	11 제 9 항에 있어서, 상기 제2 식각마스크 패턴은 제2 버퍼층 및 제2 금속층이 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
12	12 제 8 항에 있어서, 상기 제1 식각마스크 패턴은 포토레지스트 패턴임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
13	13 제 8 항에 있어서, 상기 제1 식각마스크 패턴은 제3 버퍼층 및 제3 금속층이 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
14	14 제 8 항에 있어서, 상기 기판을 관통 식각하는 단계 이후에,상기 관통 식각 단계에 의해 노출되는 상기 제1 버퍼층을 습식 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
15	15 제 12 항에 있어서, 상기 기판을 관통 식각하는 단계 이후에,상기 포토레지스트 패턴으로 된 제1 식각마스크 패턴을 제거하는 단계;상기 제1 금속층을 제거하는 단계; 및상기 제1 버퍼층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
16	16 제 13 항에 있어서, 상기 기판을 관통 식각하는 단계 이후에,상기 제1 식각마스크 패턴의 제3 금속층 및 상기 제1 금속층을 제거하는 단계; 및상기 제1 식각마스크 패턴의 제3 버퍼층 및 상기 제1 버퍼층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
17	17 제 8 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 단결정 기판임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
18	18 제 8 항, 제 11 항 또는 제 13 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 버퍼층은 이산화실리콘층임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
19	19 제 8 항, 제 11 항 또는 제 13 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄층임을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
20	20 제 8 항에 있어서, 상기 기판을 관통 식각하는 단계는 DRIE(Deep Reaction Ion Etching)법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법
21	21 제 8 항에 있어서, 상기 기판을 관통 식각하는 단계에서 관통되는 부분은 상기 리세스영역내에 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 관통 식각방법

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP15251598	JP	일본	FAMILY
2	US06821901	US	미국	FAMILY
3	US20030162402	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2003251598	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	US2003162402	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US6821901	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0471744-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20020403 출원 번호 : 1020020018215 공고 연월일 : 20050316 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20040707 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 21/3065 발명의 명칭 : 기판 관통 식각방법 존속기간(예정)만료일 : 20140204

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	1,107,000 원	2005년 02월 04일	납입
제 4 년분	금 액	488,000 원	2008년 01월 30일	납입
제 5 년분	금 액	458,000 원	2009년 02월 02일	납입
제 6 년분	금 액	458,000 원	2010년 01월 28일	납입
제 7 년분	금 액	822,000 원	2011년 02월 07일	납입
제 8 년분	금 액	1,233,000 원	2012년 08월 03일	납입
제 9 년분	금 액	1,068,600 원	2013년 05월 03일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.04.03	수리 (Accepted)	1-1-2002-0100558-38
2	전자문서첨부서류제출서	2002.04.04	수리 (Accepted)	1-1-2002-5086331-91
3	서지사항보정서	2002.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2002-5136319-59
4	우선권주장증명서류제출서	2002.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2002-5136320-06
5	선행기술조사의뢰서	2004.02.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2004.03.12	수리 (Accepted)	9-1-2004-0013270-09
7	의견제출통지서	2004.04.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0149925-99
8	명세서 등 보정서	2004.06.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0267173-59
9	의견서	2004.06.21	수리 (Accepted)	1-1-2004-0267172-14
10	등록결정서	2004.07.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0275659-15
11	출원인변경신고서	2005.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2005-5015625-70
12	출원인정보변경(경정)신고서	2008.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2008-5015497-73
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.08.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5100909-62
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.20	수리 (Accepted)	4-1-2015-5036045-28

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2022018919][서울대학교]	주사 전자 현미경을 이용한 CD 측정 방법	새창보기
[KST2015137204][서울대학교]	분말을 이용한 적층 및 기판 식각 장치 및 방법	새창보기
[KST2015136825][서울대학교]	AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법	새창보기
[KST2015136888][서울대학교]	열고립을 줄이기 위한 부유 구조물 제작 방법	새창보기
[KST2014037072][서울대학교]	절연용 유리부분을 포함하는 수직관통형 실리콘 전극의 제작 방법	새창보기
[KST2015136835][서울대학교]	실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법	새창보기
[KST2015135117][서울대학교]	플라즈마 발생 시스템	새창보기
[KST2014037233][서울대학교]	나노 스케일 ３차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 및 방법	새창보기
[KST2019011756][서울대학교]	활성영역 아래 에어갭을 갖는 반도체소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015228754][서울대학교]	프로세스 챔버의 오염 방지 장치 및 이를 이용한 프로세스 챔버의 오염 방지 방법(Apparatus and method for preventing contamintion of process chamber)	새창보기
[KST2015160409][서울대학교]	다양한 단차 구조를 형성하기 위한 기판 식각 방법 및이를 이용한 3차원 마이크로시스템용 방열판 제조 방법	새창보기
[KST2015159233][서울대학교]	고 전계 이동도 트랜지스터의 오프셋 광폭 식각 방법	새창보기
[KST2015135345][서울대학교]	칼코제나이드계 박막 에칭방법 및 칼코제나이드계 박막 증착장치 클리닝 방법	새창보기
[KST2015137651][서울대학교]	나노 와이어 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.