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선형 나노튜브와, 상기 선형 나노튜브에 삽입되어 국소적인 탄성변형을 일으켜서 삽입된 위치의 밴드 갭을 국소적으로 변형시키기 위한 적어도 1이상의 구형분자로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자
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제1항에 있어서, 상기 나노튜브는 반도체 성질의 탄소 나노튜브, BN(boron nitride) 및 CxByNz(탄소,붕소,질소)의 나노튜브 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 구형분자는 금속이 내재된 탄소 풀러린 또는 단순한 탄소 풀러린으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자
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제2항에 있어서, 상기 금속 탄소 풀러린은 가돌로늄(Gd)이 내재된 탄소 풀러린인 것을 특징으로 하는 나노 양자소자
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선형 탄소 나노튜브와, 상기 탄소 나노튜브에 삽입되어 국소적인 탄성변형을 일으켜서 삽입된 위치마다 양자점을 형성하기 위한 적어도 1이상의 풀러린으로 구성되며, 상기 풀러린의 (직경 + 0
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제4항에 있어서, 상기 반도체 탄소 나노튜브의 카이랄리티(n,m)가 n-m=3p+2(여기서 p는 정수임)인 경우 풀러린이 삽입된 위치에서 밴드 갭이 줄어들며, n-m=3p+1인 경우 풀러린이 삽입된 위치에서 밴드 갭이 늘어나는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 풀러린은 가돌로늄(Gd)이 내재된 탄소 풀러린인 것을 특징으로 하는 나노 양자소자
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제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 나노 양자소자는 다수의 국소적인 밴드 갭의 변형으로 다수의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자
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다수의 금속-풀러린이 선형의 반도체 탄소 나노튜브에 삽입되어 다수의 양자점을 갖는 나노 양자소자와, 상기 나노 양자소자의 양단에 접합된 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극에 연결되어 전원을 인가하기 위한 전원수단으로 구성되어, 상기 전원수단으로부터 인가되는 전원에 비례한 광이 나노 양자소자로부터 발생되는 것을 특징으로 하는 나노 발광장치
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다수의 금속-풀러린이 선형의 반도체 탄소 나노튜브에 삽입되어 다수의 양자점을 갖는 나노 양자소자와, 상기 나노 양자소자의 양단에 접합된 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극의 출력과 연결된 증폭수단으로 구성되어, 상기 나노 양자소자에 조사되는 외부 광에 비례하는 검출신호를 증폭수단으로부터 얻는 것을 특징으로 하는 나노 수광장치
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10
반도체 성질의 탄소 나노튜브에 금속 풀러린과 풀러린 중 어느 하나를 삽입하여 풀러린이 삽입된 지점을 국소적으로 탄성변형시킴에 의해 국소적으로 밴드 갭을 변형시키는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 밴드 갭 변형방법
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11
제10항에 있어서, (상기 풀러린의 직경 + 0
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12
제10항에 있어서, 상기 반도체 탄소 나노튜브의 카이랄리티(n,m)가 n-m=3p+2(여기서 p는 정수임)인 경우 풀러린이 삽입된 위치에서 밴드 갭이 줄어들며, n-m=3p+1인 경우 풀러린이 삽입된 위치에서 밴드 갭이 늘어나는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 밴드 갭 변형방법
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선형의 나노튜브에 다수의 구형분자를 삽입하여 구형분자가 삽입된 나노튜브의 각 지점을 규칙적으로 국소적으로 탄성변형시킴에 의해 다수의 양자점을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 양자점 형성방법
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14
제13항에 있어서, 상기 구형분자는 금속이 내재된 탄소 풀러린인 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 양자점 형성방법
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다수의 양자점을 갖는 나노 양자소자의 제조방법에 있어서, 삽입 지점을 국소적으로 탄성변형시켜 밴드 갭을 변형시킴에 의해 양자점을 형성하도록 다수의 구형분자를 흡열반응에 의해 선형의 탄소 나노튜브에 삽입하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 제조방법
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단겹 탄소 나노튜브를 건조한 공기 중에서 건조시키는 단계와, 상기 단겹 탄소 나노튜브와 금속 풀러린을 밀봉된 석영관에 같이 넣은 후 소정시간 동안 가열하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 제조방법
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제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 풀러린의 밀도를 변화시킴에 의해 양자점 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 양자소자의 제조방법
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