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다결정 실리콘 박막 형성방법에 있어서,절연 기판 상에 비정질 물질을 증착하는 단계;상기 비정질 물질 상에 덮개층을 형성하는 단계;상기 덮개층 상에 금속이 내포된 단백질을 형성하는 단계;상기 금속이 내포된 단백질의 핵만 남겨두고 나머지 유기물을 제거하기 위한 제1 열처리과정과, 상기 남겨진 단백질의 핵을 비정질 물질로 균일하게 확산시켜 상기 비정질물질을 결정화시키기 위한 제2 열처리과정으로 이루어진 결정화단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 절연 기판 상에 비정질 물질을 증착하는 단계 이전에 상기 절연 기판 상에 완충층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 2에 있어서,상기 완충층은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막 및 유기막 중 적어도 하나가 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 3에 있어서,상기 완충층 상면은 불산(HF)이 함유된 용액처리방법, 플라즈마를 이용한 화학기상증착법(PECVD), 이온을 이용한 표면처리방법, 오존처리방법, 계면활성제 및 산용액, 염기, 염 또는 알칼리 용액을 이용한 화학적 처리방법 중 어느 하나의 방법에 의하여 표면처리되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 절연 기판은 유리, 석영, 산화막이 덮여진 단결정 웨이퍼 및 절연막이 덮여진 유연성을 갖는 금속 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 5에 있어서,상기 절연막은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막 및 유기막 중 적어도 하나가 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 비정질 물질은 스퍼터링법, 화학기상증착법, 열분해법 중 어느 하나의 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 7에 있어서,상기 비정질 물질 상면은 불산(HF)이 함유된 용액처리방법, 플라즈마를 이용한 화학기상증착법(PECVD), 이온을 이용한 표면처리방법, 오존처리방법, 계면활성제 및 산용액, 염기, 염 또는 알칼리 용액을 이용한 화학적 처리방법 중 어느 하나의 방법에 의하여 표면처리되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 덮개층은 화학기상증착법, 열분해를 이용한 증착법, 프린터코팅법 및 스핀코팅 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 9에 있어서,상기 덮개층은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막 및 유기막 중 적어도 하나가 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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11
청구항 10에 있어서,상기 산화질화막은 사일렌(SiH4), 암모니아 및 질소 중 어느 하나와 산화질소(N2O) 또는 산소 중 어느 하나를 이용한 증착법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 10에 있어서,상기 덮개층의 두께는 0
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청구항 10에 있어서상기 덮개층 상면은 불산(HF)이 함유된 용액처리방법, 플라즈마를 이용한 화학기상증착법(PECVD), 이온을 이용한 표면처리방법, 오존처리방법, 계면활성제 및 산용액, 염기, 염 또는 알칼리 용액을 이용한 화학적 처리방법 중 어느 하나의 방법에 의하여 표면처리되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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14
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 금속이 내포된 단백질은 스핀코팅, 프린팅, 담금 방법 중 어느 하나의 방법으로 상기 덮개층 상면 전체 또는 일부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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15
청구항 14에 있어서,상기 금속은 상기 단백질의 핵속에 내포되되, 상기 금속은 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 비소(As), 안티몬(Sb) 중 어느 하나이거나 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 15에 있어서,상기 금속이 내포된 단백질의 핵 크기는 3㎚에서 20㎚ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1 열처리과정은 복사열, 가시광 영역 또는 자외선 영역의 에너지원을 이용하여 50도 내지 600도의 온도범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 18에 있어서,상기 제1 열처리과정 이후에 진행되는 상기 제2 열처리과정은 복사열, 가시광 영역 또는 자외선 영역의 에너지원을 이용하여 400도 내지 1400도의 온도범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 19에 있어서,상기 제2 열처리과정에 의하여 상기 금속이 내포된 단백질로부터 확산된 금속에 의해 생성된 핵을 중심으로 하여 측방으로 그레인이 성장함으로써 상기 비정질 물질이 결정화되는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 19에 있어서,상기 복사열을 이용하여 열처리를 하는 경우에는, 온도를 상승시키는 과정과, 결정화가 이루어지는 온도를 유지하는 과정과, 온도를 하강시키는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 20에 있어서,상기 제2 열처리과정에 의하여 비정질 물질이 결정화된 이후에, 복사열, 가시광 영역 또는 자외선 영역의 에너지원을 이용하여 400도 내지 1400도의 온도범위에서 상기 비정질 물질을 재결정화 하는 단계가 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 22에 있어서,상기 재결정화 단계는 상기 덮개층을 제거한 후에 이루어지거나, 새로운 덮개층을 적어도 한층을 적층한 후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 22에 있어서,상기 복사열을 이용하여 재결정화 하는 단계는 온도를 상승시키는 과정과, 재결정화가 이루어지는 온도를 유지하는 과정과, 온도를 하강시키는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 24에 있어서,상기 결정화된 비정질 물질의 결정구조는 원 또는 디스크 형상을 가지되, 크기가 3㎛에서 500㎛ 사이의 범위를 가지는 그레인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속이 내포된 단백질을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법
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