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기판;상기 기판 상에 서로 이격되어 형성되는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 사이의 기판 상에 형성되되, 상기 소스/드레인 전극 각각의 일부를 덮도록 형성되는 산화물 반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막 상에 형성되는 터널링 절연막;상기 터널링 절연막 상에 형성되고, 상기 터널링 절연막을 통해 터널링된 전하를 축적하는 전하 축적막;상기 전하 축적막을 덮도록 형성되는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하고,상기 전하 축적막은 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층과 적어도 하나 이상의 절연체층이 교대로 적층된 구조를 갖고,상기 전하 축적막에 저장되는 정보의 양, 속도 및 유지시간은 상기 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층의 전도성 범위, 상기 적어도 하나 이상의 절연체층의 종류 및 두께, 상기 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층과 상기 적어도 하나 이상의 절연체층이 삽입되는 수 및 적층 구조에 따라 조절되는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 투명한 재질로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 가시광 영역에서 투명한 산화물 반도체로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 소정 길이를 갖는 채널 영역을 포함하고,상기 터널링 절연막은 상기 채널 영역 상에 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층은 1e14cm-3 내지 1e18cm-3의 캐리어 농도를 갖는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 4eV 내지 10eV의 에너지 밴드갭을 가지는 절연체로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 상기 전하 축적막에 2번 적층되고, 1
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 상기 전하 축적막에 2번 적층되고, 3
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 상기 전하 축적막에 4번 적층되고, 1
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극이 노출되도록 상기 게이트 절연막을 관통하여 형성되는 한 쌍의 컨택 비아홀; 및상기 한 쌍의 컨택 비아홀을 채우도록 형성되고, 상기 소스/드레인 전극과 연결되는 소스/드레인 전극 패드를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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기판;상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮도록 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부면에 형성된 홈에 형성되고, 터널링된 전하를 축적하는 전하 축적막;상기 게이트 절연막 및 상기 전하 축적막 상에 형성되는 터널링 절연막;상기 터널링 절연막 상에 서로 이격되어 형성되는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 사이의 터널링 절연막 상에 형성되되, 상기 소스/드레인 전극 각각의 일부를 덮도록 형성되는 산화물 반도체 박막; 및상기 산화물 반도체 박막 상에 형성되는 보호 절연막을 포함하고,상기 산화물 반도체 박막은 소정 길이를 갖는 채널 영역을 포함하고,상기 전하 축적막의 폭은 상기 채널 영역의 길이와 동일하고, 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층과 적어도 하나 이상의 절연체층이 교대로 적층된 구조를 갖고,상기 전하 축적막에 저장되는 정보의 양, 속도 및 유지시간은 상기 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층의 전도성 범위, 상기 적어도 하나 이상의 절연체층의 종류 및 두께, 상기 적어도 하나 이상의 산화물 반도체층과 상기 적어도 하나 이상의 절연체층이 삽입되는 수 및 적층 구조에 따라 조절되는 비휘발성 메모리 소자
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제12항에 있어서,상기 기판은 투명한 재질로 형성되고,상기 산화물 반도체 박막은 가시광 영역에서 투명한 산화물 반도체로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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제12항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 상기 전하 축적막에 2번 적층되고, 1
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제12항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 상기 전하 축적막에 2번 적층되고, 3
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제12항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 절연체층은 상기 전하 축적막에 4번 적층되고, 1
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