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디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015166986
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 산화물 반도체 트랜지스터는 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터에 있어서, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극/드레인 전극; 및 상기 소스 전극/드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압을 인가받고, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/78648(2013.01)
출원번호/일자 1020130066693 (2013.06.11)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0144566 (2014.12.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울 동대문구
2 석만주 대한민국 서울 동대문구
3 엄재광 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0517883-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0018282-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0223712-31
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0519174-39
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0612012-67
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0642181-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0642180-66
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0814568-58
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.12.23 수리 (Accepted) 7-1-2014-0049150-93
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.01.27 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2015-0087361-49
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0087360-04
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0114392-24
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0114384-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터에 있어서, 기판;상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극;상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극/드레인 전극; 및 상기 소스 전극/드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압을 인가받고, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 2μm 이상인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체 트랜지스터는, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극을 전기적으로 연결하는 연결전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체 트랜지스터는, 상기 제1 게이트 전극과 상기 소스 전극/드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막과 상기 소스 전극/드레인 전극 사이에 위치하는 산화물 반도체층; 및 상기 소스 전극/드레인 전극과 상기 제2 게이트 전극 사이에 위치하는 보호층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
5 5
제4항에 있어서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 수평 방향으로 위치하되, 상기 산화물 반도체 트랜지스터는 적어도 일부가 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 에치 스토퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 산화물 반도체 트랜지스터
6 6
제5항에 있어서,상기 게이트 절연막, 상기 에치 스토퍼, 상기 보호층 중 적어도 하나는 산화물 또는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 인듐 갈륨 징크 옥사이드(IGZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드(ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 어느 하나를 포함하여 형성된 비정질 혹은 다결정질로 구성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
8 8
디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터에 있어서, 기판;상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극;상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극/드레인 전극; 및 상기 소스 전극/드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 동일 축 상에 위치하고, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 제1 게이트 전극의 폭 보다 짧으며, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압을 인가받는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
9 9
제8항에 있어서,상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터
10 10
디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,상기 기판 위에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제1 게이트 전극 위에 게이트 절연막, 산화물 반도체층 및 에치 스토퍼를 순차적으로 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막, 상기 산화물 반도체층 및 상기 에치 스토퍼의 위에 소스 전극/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극/드레인 전극 위에 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층의 위에 제2 게이트 전극 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극을 전기적으로 연결하는 연결 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105324848 CN 중국 FAMILY
2 KR101506098 KR 대한민국 FAMILY
3 US09825058 US 미국 FAMILY
4 US20160093643 US 미국 FAMILY
5 WO2014200190 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105324848 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(반도체) 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발