| 1 |
1
챔버;상기 챔버 내에 서로 이격되게 마련된 애노드 및 상기 애노드 상의 캐소드;상부에 박막을 구비하며, 상기 애노드 상에 마련된 기판;상기 캐소드 하부에 마련된 다수의 에미터;상기 에미터와 이격되게 마련된 게이트를 포함하되,상기 캐소드와 에미터 사이에 마련된 전계방출기판과,상기 전계방출기판 상부에 마련된 금속성의 제1캐리어층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 박막은 실리콘 박막, 절연 필름, 산화물 반도체, 전도성 필름 및 투명전극으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 게이트는 다수의 개구홈을 구비한 메쉬 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 각 에미터는 상기 개구홈 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,2개 이상의 상기 에미터로 이루어진 다수의 에미터 그룹을 더 포함하고,상기 각 에미터 그룹은 상기 개구홈 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 각 에미터 그룹 내의 각 에미터는 해당 에미터 그룹 상에 위치한 개구홈의 중심점을 기준으로 대칭되게 배열된 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제1캐리어층은 상기 전계방출기판에 열합착되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 제1캐리어층은 금, 은, 구리, 주석, 알루미늄, 니켈, 아연, 백금, 몰리브텐, 티탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 또는 이들 금속의 합금 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상부에 요철이 형성된 제1요철부를 구비하고, 상기 제1캐리어층의 상부에 마련된 금속성의 제2캐리어층을 더 포함하며,상기 캐소드는,하부에 상기 제2캐리어층의 제1요철부에 대응하는 반대 요철이 형성된 제2요철부를 구비하고, 상기 제2요철부가 상기 제2캐리어층의 제1요철부에 요철 결합되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 11 |
11
챔버;상기 챔버 내에 서로 이격되게 마련된 애노드 및 상기 애노드 상의 캐소드;상부에 박막을 구비하며, 상기 애노드 상에 마련된 기판;상기 캐소드 하부에 마련된 다수의 에미터;상기 에미터와 이격되게 마련된 게이트를 포함하되,상기 캐소드와 에미터 사이에 마련된 전계방출기판과,상부에 요철이 형성된 제3요철부를 구비하며, 상기 전계방출기판의 상부에 마련된 금속성의 제3캐리어층을 더 포함하며,상기 캐소드는,하부에 상기 제3캐리어층의 제3요철부에 대응하는 반대 요철이 형성된 제4요철부를 구비하고, 상기 제4요철부가 상기 제3캐리어층의 제3요철부에 요철 결합되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 박막에서 발생하는 음극선 발광의 스펙트럼에 따라 전자빔의 에너지나 조사시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 박막 특성 변환 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 음극선 발광의 스펙트럼을 분석하는 스펙트럼 분석장치;상기 스펙트럼 분석장치에 의해 분석된 스펙트럼에 따라 전자빔의 에너지 또는 조사시간을 조절하는 제어장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 특성 변환 장치
|
| 14 |
14
제1항의 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 장치를 이용하여 박막의 특성을 변환시키는 방법으로서,상기 박막에 전자빔을 조사하여 상기 박막의 특성을 변화시키는 제1단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 제1단계 전에 소정의 박막 증착법을 이용하여 상기 기판의 상부에 박막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 박막 증착법은 스퍼터링법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 방법
|
| 17 |
17
제14항에 있어서,상기 전자빔은 10초 내지 60초 동안 조사되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 방법
|
| 18 |
18
제14항에 있어서,상기 박막에서 발생하는 음극선 발광의 스펙트럼에 따라 전자빔의 에너지나 조사시간을 조절하는 제2단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 박막 특성 변환 방법
|
