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진공 챔버;
상기 진공 챔버의 하부에 장착되며 스퍼터링법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 박막이 증착되는 기판;
상기 기판을 안치시키는 기판 홀더; 및
상기 진공 챔버의 상단의 일측에서 상기 기판을 향하여 전자빔을 조사하여 상기 박막을 결정화하는 전자빔 방출부를 포함하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 전자빔 방출부는,
상기 기판에 상기 박막이 증착됨과 동시에 상기 전자빔을 조사하여 상기 박막을 결정화하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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3
제 1 항에 있어서,
상기 전자빔 방출부는,
상기 기판에 상기 박막이 증착된 이후에 상기 전자빔을 조사하여 상기 박막을 결정화하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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4
제 1 항에 있어서,
상기 전자빔 방출부는,
냉음극 전자 방출, 열전자 방출 및 전자빔 슈터에 의한 방출 중 하나에 의해 전자를 방출하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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제 4 항에 있어서,
상기 전자빔은,
상기 전자빔 슈터에 의한 방출의 경우에 100 eV 내지 100 keV 에너지의 범위에서 조절 가능한, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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6
제 4 항에 있어서,
상기 전자빔은,
상기 전자빔 슈터에 의한 방출의 경우에는 메시를 통과하여 상기 기판으로 조사되며, 상기 메시를 통과하여 출력되는 전류의 세기는 50 ~ 500 mA 인, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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7
제 1 항에 있어서,
상기 기판의 하부에 온도를 조절할 수 있는 히터를 더 포함하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 장치
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8
소정 박막 증착법을 이용하여 기판의 상부에 박막을 증착하는 단계;
상기 박막을 증착하면서 상기 박막에 전자빔을 조사하여 상기 박막을 결정화하는 단계를 포함하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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9
소정 박막 증착법을 이용하여 박막이 형성된 기판을 진공 챔버의 하단에 설치된 기판 홀더에 안치하는 단계;
상기 박막이 형성된 기판을 향하여 전자빔을 조사하여 상기 박막을 결정화하는 단계를 포함하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 박막 증착법은,
스퍼터링법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법인, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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11
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 전자빔은,
냉음극 전자 방출, 열전자 방출 및 전자빔 슈터에 의한 방출 중 하나의 방식에 의해 조사되는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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12
제 11 항에 있어서,
상기 전자빔은,
상기 전자빔 슈터에 의한 방출의 경우에 100 eV 내지 100 keV 에너지의 범위에서 조절 가능한, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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13
제 11 항에 있어서,
상기 전자빔은,
상기 전자빔 슈터에 의한 방출의 경우에는 메시를 통과하여 상기 기판으로 조사되며, 상기 메시를 통과하여 출력되는 전류의 세기는 50 ~ 500 mA 인, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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14
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 박막을 결정화하는 단계는,
1*10-2 Torr 이하의 압력에서 결정화하는, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 기판은,
유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 기판 및 금속 기판 중 하나인, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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16
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 박막은,
비정질 실리콘, 마이크로 실리콘, 산화 실리콘, ITO, IZO, 및 ZnO 중 하나인, 전자빔 조사를 이용한 박막의 특성을 변환하는 방법
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