맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치

  • 기술번호 : KST2015167298
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체, 상기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 그리고 상기 게이트 전극과 상기 반도체 사이에 위치하고 알루미늄 산화물 층을 포함하는 적층 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01)
출원번호/일자 1020120089140 (2012.08.14)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2100290-0000 (2020.04.07)
공개번호/일자 10-2014-0022684 (2014.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20200527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.11)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태웅 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 장진 대한민국 서울 동대문구
3 크리스토프 아비스 프랑스 서울 동대문구
4 김연구 대한민국 서울 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0652890-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0779290-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0737818-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1317564-22
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1317565-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0373453-12
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.06.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0655875-66
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0655874-10
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0525118-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.09.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0963440-11
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0963439-64
16 [기타 의견][특허]의견(답변, 소명)서
 2020.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0012433-65
17 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2020.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0036202-23
18 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2020.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5012188-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극,상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체,상기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 그리고상기 게이트 전극과 상기 반도체 사이에 위치하는 알루미늄 산화물 층;상기 알루미늄 산화물 층과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 금속 산화물층을 포함하고,상기 금속 산화물 층은 YOx, TiOx, MgO, CaO, SrO, BaO, Ta2O5 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 알루미늄 산화물 층은 상기 반도체와 접촉하고,상기 알루미늄 산화물 층은 20nm 내지 50nm의 두께를 갖고,상기 금속 산화물층은 10nm 내지 90nm의 두께를 갖는 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에서,상기 반도체는 산화물 반도체인 박막 트랜지스터
8 8
제7항에서,상기 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In) 및 주석(Sn)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터
9 9
게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 상에 금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물층 상에 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계:상기 알루미늄 산화물층 상에 상기 게이트 전극과 중첩하며 상기 알루미늄 산화물층과 접촉하는 반도체를 형성하는 단계,상기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 산화물 층은 YOx, TiOx, MgO, CaO, SrO, BaO, Ta2O5 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 알루미늄 산화물 층은 20nm 내지 50nm의 두께를 갖고,상기 금속 산화물층은 10nm 내지 90nm의 두께를 갖는,박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제9항에서,상기 금속 산화물층을 형성하는 단계 및 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계는 용액 공정으로 수행하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제9항에서,상기 알루미늄 산화물 층을 형성하는 단계는 알루미늄 히드록시드, 알루미늄 알콕사이드, 알루미늄 시트레이트, 알루미늄 아세테이트, 알루미늄 카보네이트, 알루미늄 (메타)아크릴레이트, 알루미늄 나이트레이트, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 할라이드, 알루미늄 티오카바메이트, 알루미늄 설포네이트, 알루미늄 운데실레이트, 알루미늄 보레이트 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 알루미늄 전구체 용액을 사용하고,상기 금속 산화물 층을 형성하는 단계는 금속 히드록시드, 금속 알콕사이드, 금속 시트레이트, 금속 아세테이트, 금속 카보네이트, 금속 (메타)아크릴레이트, 금속 나이트레이트, 금속 아세틸아세토네이트, 금속 할라이드, 금속 티오카바메이트, 금속 설포네이트, 금속 운데실레이트, 금속 보레이트 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 금속 전구체 용액을 사용하며,상기 금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이트륨(Y), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 바륨(Ba) 및 티타늄(Ti)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는박막 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제10항에서,상기 금속 산화물층을 형성하는 단계 및 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계에서 수행되는 용액 공정은 100℃ 내지 400℃의 온도에서 어닐링하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제9항에서,상기 반도체를 형성하는 단계는 용액 공정으로 수행하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제15항에서,상기 반도체를 형성하는 단계는 아연(Zn), 인듐(In) 및 주석(Sn)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 전구체 용액을 적용하는 단계, 그리고상기 전구체 용액을 열처리하여 산화물 반도체로 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제1항, 제7항, 제8항 중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103594522 CN 중국 FAMILY
2 US09171913 US 미국 FAMILY
3 US20140048795 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103594522 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103594522 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 TW201407790 TW 대만 DOCDBFAMILY
4 TWI602305 TW 대만 DOCDBFAMILY
5 US2014048795 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9171913 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.