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우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자용 기판, 그 제조방법 및 발광다이오드 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169815
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자용 기판, 그 제조방법 및 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 습식 식각 공정에서 견딜 수 있도록 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자용 기판, 그 제조방법 및 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 일측면에 다른 발광다이오드 소자용 기판은 평탄화 기판 및 상기 기판의 평탄화 면의 반대쪽 면에 보호막을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01) H01L 33/44 (2010.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020130025069 (2013.03.08)
출원인 주식회사 포스코, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1439750-0000 (2014.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송양희 대한민국 경기 광명시 광덕산로 **, *
3 김기수 대한민국 경북 포항시 남구
4 김진유 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0205080-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0072011-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0302097-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0302098-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0326271-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0657749-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0657748-39
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0511148-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평탄화 기판 및 상기 기판의 평탄화 면의 반대쪽 면에 보호막을 포함하며,상기 평탄화 기판은 평탄화된 표면으로부터 제1 결합층, 배리어 층, 제2 결합층 및 접합층을 순차적으로 포함하는 발광다이오드 소자용 기판
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 평탄화 기판과 상기 보호막 사이에 결합층을 더 포함하는 발광다이오드 소자용 기판
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호막은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 몰리브데늄(Mo) 또는 이들을 포함하는 합금인 발광다이오드 소자용 기판
4 4
모기판을 준비하는 단계;상기 모기판의 표면에 전기주조 방식으로 평탄화 기판을 형성시키는 단계; 및상기 평탄화 기판의 모기판 반대쪽 면에 보호막을 형성시키는 단계;상기 보호막이 형성된 평탄화 기판을 모기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 평탄화 기판의 평탄화된 표면으로부터 제1 결합층, 배리어 층, 제2 결합층 및 접합층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 소자용 기판의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계 이전에 상기 평탄화 기판의 외부에 노출된 표면에 결합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 소자용 기판의 제조방법
6 6
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 보호막은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 몰리브데늄(Mo) 또는 이들을 포함하는 합금인 발광다이오드 소자용 기판의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 보호막의 두께는 50~500nm인 발광다이오드 소자용 기판의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 결합층은 Ti, Cr, Ni의 금속 또는 TiOx, CrOx, NiOx의 산화층, 이들을 포함하는 물질 또는 그 조합인 발광다이오드 소자용 기판의 제조방법
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 결합층의 두께는 1~100nm인 발광다이오드 소자용 기판의 제조방법
10 10
모기판을 준비하는 단계;상기 모기판의 표면에 전기주조 방식으로 평탄화 기판을 형성시키는 단계;상기 평탄화 기판의 모기판 반대쪽 면에 보호막을 형성시키는 단계;상기 보호막이 형성된 평탄화 기판을 모기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 분리된 평탄화 기판의 평탄화된 표면에 발광다이오드 층을 형성시키는 단계를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계 이전에 상기 평탄화 기판의 외부에 노출된 표면에 결합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
12 12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 보호막이 형성된 평탄화 기판을 모기판으로부터 분리한 후, 발광다이오드 층을 형성하기 전에, 상기 평탄화 기판의 평탄화된 표면으로부터 제1 결합층, 배리어 층, 제2 결합층 및 접합층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
13 13
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 발광다이오드는 광출사면의 반대쪽 면으로부터 제1 결합층, 배리어 층, 제2 결합층 및 접합층을 순차적으로 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 발광다이오드는 광출사면의 반대쪽 면으로부터 제 1 결합층, 배리어 층, 제 2 결합층 및 접합층을 순차적으로 포함하며, 상기 분리된 평탄화 기판의 평탄화된 표면에 발광다이오드 층을 형성시키는 단계는 상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드의 접합층 형성면이 상호 대향하도록 배치한 후, 상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드를 가열함으로써 이루어지는 발광다이오드 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.