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제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층;각각, 상기 베이스층 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체로 이루어지고 상기 베이스층 으로부터 수직방향으로 제1 영역과 제2 영역으로 구분되는 복수의 나노 코어와, 상기 복수의 나노 코어의 제2 영역의 표면 상에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물; 상기 복수의 나노 발광구조물의 상기 제2 도전형 반도체층의 표면에, 상기 나노 발광구조물 단위로 각각 분리되어 배치된 전도성 보호층; 및적어도 상기 활성층의 단부가 산화되어 얻어진 전류 차단층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형 반도체층의 단부와 상기 나노 코어의 제1 영역이 산화된 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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제2항에 있어서,상기 전류 차단층은 상기 나노 코어의 제1 영역으로부터 상기 베이스층의 표면까지 연장된 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전류 차단층은 5nm ~ 200nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전도성 보호층은 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 구조 반도체 발광소자
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제4항에 있어서,상기 전도성 보호층은 광투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 나노 발광구조물은 상기 베이스층의 결정면과 실질적으로 수직인 제1 결정면을 갖는 측면과, 상기 제1 결정면과 다른 제2 결정면인 상단부를 가지는 것을 특징을 하는 나노구조 반도체 발광소자
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8
제1항에 있어서,상기 나노 코어의 제1 영역은 상기 나노 코어의 제2 영역보다 작은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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9
제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층;상기 베이스층 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어와, 상기 베이스층의 상면과 이격되며, 상기 복수의 나노 코어의 표면에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물;상기 제2 도전형 반도체층의 표면에, 상기 나노 발광구조물 단위로 각각 분리되어 배치된 전도성 보호층; 및상기 전도성 보호층의 일부 영역을 덮도록 상기 나노 발광구조물 사이에 배치된 절연성 지지부재;를 포함하며, 상기 절연성 지지부재는 상기 활성층의 단부와 그 인접한 표면에 위치하도록 상기 나노 코어 중 상기 활성층이 형성되지 않은 영역까지 연장되어 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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10
제9항에 있어서,상기 베이스층 중 상기 나노 코어가 위치한 영역은 다른 영역보다 높은 레벨의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조 반도체 발광소자
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