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나노 복합체를 제조하는 방법에 있어서, 나노 복합체로 제조하기 위한 물질을 나노 단위 크기로 가공하여 나노 입자를 얻는 단계와; 상기 나노 입자와 결합되어 나노 복합체를 형성하기 위한 블록공중합체를 합성하여 블록공중합체를 얻는 단계와; 상기 블록공중합체로 이용되는 고분자 물질과 유사 또는 동일한 구조를 갖는 고분자 물질을 선택하여 상기 나노 입자의 표면을 코팅하여 서로를 결합시키는 구조적 친화력을 이용한 결합 방법과, 상기 나노 입자를 음전하로 하전시키고 상기 블록공중합체에 양전하를 부가시켜 서로를 정전기적으로 결합시키는 정전기적 인력을 이용한 결합 방법 중에서 어느 한 방법을 선택하여 상기 나노 입자를 상기 블록공중합체에 선택적으로 도입시켜 나노 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노 입자는 팔라듐, 플라티늄, 금, 은, 실리카, 티타늄 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 1항에 있어서, 나노 입자의 표면에 코팅되는 고분자 물질은 비공유 전자쌍을 함유하는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 4항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리2-비닐피리딘(P2VP), 폴리 4-비닐피리딘(P4VP), 아민을 함유하는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 아민을 함유하는 고분자 물질은 폴리피롤(PPy, polypyrrole), 폴리이소시아네이트(PIC, polyisocyanate) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌(PS)과 P2VP, PS-b-P4VP, PS-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리이소프렌(PI)과 P2VP, PI-b-P4VP, PI-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리부타디엔(PB)과 P2VP, PB-b-P4VP, PB-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질과, 폴리메타아크릴레이트(PMMA)와 P2VP, PMMA-b-P4VP, PMMA-b-PIC의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질 중에서 선택된 어느 하나로 이루어져, 상기 구조적 친화력을 이용한 결합 방법에 의하여 상기 나노 입자와 결합되는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노 입자의 음전하 하전은 금속 물질을 나노 단위 크기의 나노 입자로 제조할 때에 자연 발생하는 음전하가 하전되는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 4가화된 폴리2-비닐피리딘(P2VP+), 폴리 4-비닐피리딘(P4VP+), 폴리스티렌(PS)과 P2VP+, PS-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리이소프렌(PI)과 P2VP+, PI-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리부타디엔(PB)과 P2VP+, PB-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질, 폴리메타아크릴레이트(PMMA)와 P2VP+, PMMA-b-P4VP+의 혼합물 중 선택된 어느 한 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어져, 상기 정전기적 인력을 이용한 결합 방법에 의하여 상기 나노 입자와 결합되는 것을 특징으로 하는 나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조 방법
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