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아연산화물 반도체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173870
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연산화물 반도체의 전기적 특성을 향상시키는 아연산화물 반도체 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 5족 원소 또는 5족 원소의 산화물이 포함된 산화아연 화합물을 사용하여 기판 상에 도판트로서 5족 원소가 첨가된 아연산화물 박막을 형성하고, 상기 도판트가 활성화되도록 아연산화물 박막이 형성된 기판을 급속열처리 챔버 내에 장입시키고 급속열처리하여, n형 전기적 특성 또는 절연체의 특성을 가지는 아연산화물 박막을 p형 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 전환시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, n형 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막을 p형 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 용이하게 전환시킬 수 있으므로, 광소자에 필수적인 정공의 공급이 가능하게 되어 발광다이오드, 레이저 다이오드, 및 자외선 센서 등의 광소자 및 전자 소자의 개발이 가능하게 되고 그 응용범위도 크게 향상시킬 수 있게 되었다.아연산화물 반도체, p형, n형, 전기적 특성, 급속열처리
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030014397 (2003.03.07)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0470155-0000 (2005.01.26)
공개번호/일자 10-2004-0079516 (2004.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.03.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경국 대한민국 광주광역시북구
2 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0081195-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0002431-30
6 등록결정서
Decision to grant		 2005.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0034121-79
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

5족 원소 또는 5족 원소의 산화물이 포함된 산화아연 화합물을 사용하여 기판 상에 도판트로서 5족 원소가 첨가된 아연산화물 박막을 형성하고, 상기 도판트가 활성화되도록 상기 아연산화물 박막이 형성된 상기 기판을 급속열처리 챔버 내에 장입시키고 급속열처리하여, n형 전기적 특성 또는 절연체의 특성을 가지는 상기 아연산화물 박막을 p형 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 아연산화물 기판, 또는 사파이어 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 5족 원소는 인, 비소, 안티몬, 또는 비스무스인 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 아연산화물 박막은, 산화인이 0

5 5

제 1항에 있어서, 상기 아연산화물 박막은, 플라즈마화된 상기 산화아연 화합물을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 상기 급속열처리는, 상기 챔버 내의 온도를 초당 1∼100℃로 상승시키고, 500∼1500℃에서 10초∼30분 동안 유지함으로써 실시되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

7 7

제 1항에 있어서, 상기 급속열처리는, 질소 또는 불활성 기체로 이루어진 분위기에서 실시되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체 제조방법

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