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도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174199
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세히는 내부가 관통된 프레임부를 마련하여, 이러한 프레임부의 내부에 삽입되되, 상기 프레임부의 상단부보다 돌출 형성되는 메인바디와 상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버 및 상기 프레임부, 상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되며 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체를 포함하는 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실리콘 소켓, 전도성 폴, 도전체, 디바이스, 절개부
Int. CL H01R 12/71 (2011.01) H01R 11/01 (2006.01)
CPC H01R 11/01(2013.01) H01R 11/01(2013.01) H01R 11/01(2013.01) H01R 11/01(2013.01) H01R 11/01(2013.01) H01R 11/01(2013.01)
출원번호/일자 1020090072612 (2009.08.07)
출원인 광주과학기술원, 에이케이이노텍주식회사
등록번호/일자 10-1047430-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자 10-2011-0015474 (2011.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 주식회사 엠에스엘 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문해중 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엠에스엘 충청남도 천안시 동남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0482568-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.26 수리 (Accepted) 4-1-2009-0026172-04
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0056347-92
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0207373-20
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0207374-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.11 수리 (Accepted) 4-1-2011-5071087-52
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0363897-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5256205-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2013-0048075-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5007695-71
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5007669-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.08.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5129456-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.12.05 수리 (Accepted) 4-1-2017-5198050-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부가 관통된 프레임부; 상기 프레임부의 내부에 삽입되는 메인바디; 상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버; 및 상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되어 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체로서, 상기 도전체는 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되고 상기 도전체를 둘러싸고 형성되는 상기 메인바디에는 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위한 절개부가 구비되는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓
2 2
삭제
3 3
내부가 관통된 프레임부; 상기 프레임부의 내부에 삽입되는 메인바디; 상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버; 상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되어 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체; 및 상기 도전체와 상기 메인바디 사이에 형성되며, 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하여 수축 또는 복원되는 실리콘 층을 포함하는 도전성 실리콘 소켓으로서, 상기 도전체는 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되고, 상기 실리콘 층은 상기 비전도성 커버의 상단면까지 형성되며 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위한 절개부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓
4 4
삭제
5 5
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 도전체는 실리콘 소재와 도전성 분말이 혼합된 도전 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓
6 6
제5항에 있어서, 상기 도전성 분말은 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓
7 7
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 비전도성 커버는 플라스틱, 폴리에스터 메쉬(mesh) 또는 상기 메인바디를 형성하는 소재보다 경도가 큰 소재 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
(A1)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계; (B1)상기 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 적층하는 단계; (C1)상기 메인바디와 상기 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계; (D1)상기 제1 홈 내부에 전기적 접속을 중계할 수 있는 도전체를 형성하는 단계; (D2)상기 도전체가 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되도록 엠보싱(embossing)부를 구비하는 금형으로 상기 도전체를 프레스(press)하는 단계; 및 (D3)외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위해 상기 메인바디에 절개부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제10항에 있어서, 상기 제1 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법
14 14
삭제
15 15
(A2)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계; (B2)상기 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 적층하는 단계; (C2)상기 메인바디와 상기 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계; (D2)상기 제1 홈의 내부에 실리콘 층을 형성하는 단계; (E2)상기 실리콘 층을 관통하는 제2 홈을 형성하는 단계; (F2)상기 제2 홈에 도전체를 충진하는 단계; (G2)상기 도전체가 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되도록 엠보싱(embossing)부를 구비하는 금형으로 상기 도전체를 프레스(press)하는 단계; 및 (H2)외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위해 상기 실리콘 층에 절개부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법
16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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20 20
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