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산화아연계 발광 다이오드
- 기술번호 : KST2015174094
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 발광소자의 광특성이 향상된 산화아연계 발광 다이오드가 개시되어 있다. 산화아연계 발광 다이오드는 n형 반도체층, n형 반도체층 상에 형성되는 산화아연계 활성층, 활성층 상에 형성되는 p형 반도체층, p형 반도체층에 전기적으로 접속하는 애노드, n형 반도체층에 전기적으로 접속하는 캐소드 및 n형 반도체층과 상기 활성층 사이 또는 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 표면 플라즈몬층을 포함한다. 따라서, n형 반도체층과 활성층 사이 또는 활성층과 p형 반도체층 사이에 표면 플라즈몬층을 형성함으로서 p형 반도체층의 두께 감소에 따르는 저항 증가에 영향을 받지 않으며, 표면 플라즈몬층과 활성층 간에 공명현상을 유도함으로써 광특성을 개선시킬 수 있다. 플라즈마, 공명현상, 광효율, 산화아연계 발광 다이오드 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/02 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080033554 (2008.04.11) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1033298-0000 (2011.04.28) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0108237 (2009.10.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110509) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.04.11) |
| 심사청구항수 | 3 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박성주 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 2 | 황대규 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 3 | 권민기 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 4 | 오민석 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 5 | 최용석 | 대한민국 | 광주 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.04.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0258794-29 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.08.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.09.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0052055-20 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0075293-70 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0254154-95 |
| 6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0253924-66 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0324951-32 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.06.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0403605-36 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.07.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0460068-98 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0460045-48 |
| 11 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2010.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0548344-72 |
| 12 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2010.12.31 | 수리 (Accepted) | 7-1-2010-0054044-20 |
| 13 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2011.03.02 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2011-0008404-86 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.04.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0187917-45 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되고, MgxZnyO(0≤x, y≤1)의 장벽층 및 ZnO의 우물층을 구비한 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속하는 애노드; 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속하는 캐소드; 및 상기 n형 반도체층과 상기 활성층 사이 또는 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하며, 상기 활성층과 직접 접촉하는 은을 함유한 표면 플라즈몬층을 포함하되, 상기 표면 플라즈몬층과 상기 표면 플라즈몬층으로부터 가장 멀리 위치하는 장벽층 사이의 거리는 200 nm 이하이고, 상기 표면 플라즈몬층의 두께는 80 내지 150 nm인 산화아연계 발광 다이오드 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬층은, 아일랜드 형태, 메쉬 형태 또는 라인 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광 다이오드 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 n형 반도체층은 차례로 적층된 n형 접촉층 및 n형 클래드층을 구비하고, 상기 p형 반도체층은 차례로 적층된 p형 클래드층 및 p형 접촉층을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광 다이오드 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP05037557 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP21260350 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | US07755098 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20090256148 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2009260350 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP5037557 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2009256148 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US7755098 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1033298-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080411 출원 번호 : 1020080033554 공고 연월일 : 20110509 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110407 청구범위의 항수 : 3 유별 : H01L 33/02 발명의 명칭 : 산화아연계 발광 다이오드 존속기간(예정)만료일 : 20170429 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 81,000 원 | 2011년 04월 28일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 106,000 원 | 2014년 03월 26일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 74,200 원 | 2015년 03월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 74,200 원 | 2016년 04월 04일 | 납입 |
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.04.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0258794-29 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.08.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2009.09.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0052055-20 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0075293-70 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0254154-95 |
| 6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0253924-66 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0324951-32 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.06.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0403605-36 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.07.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0460068-98 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0460045-48 |
| 11 | 거절결정서 | 2010.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0548344-72 |
| 12 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.12.31 | 수리 (Accepted) | 7-1-2010-0054044-20 |
| 13 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2011.03.02 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2011-0008404-86 |
| 14 | 등록결정서 | 2011.04.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0187917-45 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345072455 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R17-2007-078-01001-0 |
| 연구과제명 | 고효율광원및디스플레이개발을위한넓은띠간격반도체기술연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200705~201002 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345161424 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구소 운영 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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|---|---|---|
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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| 1 | 2011101000859 | 2011원859 | 2008년 특허출원 제0033554호 거절결정불복 | 2011.02.01 | 2011.04.07 |