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수직형 발광 다이오드의 제조방법 및 막질들의 분리방법

  • 기술번호 : KST2015174251
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 막질들의 분리방법 및 수직형 발광 다이오드의 제조방법이 개시된다. 하부 막질 또는 하부 기판 상에는 결정성 막대가 구비된다. 결정성 막대는 ZnO 등을 포함한다. 결정성 막대 상부에는 발광 다이오드를 구성하는 막질 또는 발광 다이오드 구조물이 형성되고, 하부 기판의 분리가 일어난다. 결정성 막대는 분리 공정에서 용해된다. 결정성 막대는 씨드층의 형성 및 씨드층을 기반으로 한 선택적 성장을 통해 달성된다. 결정성 막대의 성장은 수열 합성법을 통해 형성된다.
Int. CL H01L 33/28 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100042341 (2010.05.06)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1162084-0000 (2012.06.27)
공개번호/일자 10-2011-0122963 (2011.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.06)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기석 대한민국 광주광역시 북구
2 정건영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290962-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042794-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0533447-60
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0920054-51
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1006869-84
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1006857-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0303216-82
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번호 청구항
1 1
아연염을 포함하는 수화물을 용매에 용해하여 제1 용액을 형성하는 단계;상기 제1 용액을 가열하여 졸 상태로 형성하는 단계;상기 졸 상태의 용액에 계면활성제를 투입하여 제2 용액을 형성하는 단계; 상기 제2 용액을 하부 기판 상에 코팅한 후, 가열하여 겔 상태로 형성하여 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 상부에 수직 배향된 결정성 막대를 성장시키는 단계;상기 결정성 막대 상부에 발광 다이오드 구조물을 형성하는 단계;상기 발광 다이오드 구조물 상부에 억셉터 기판을 배치시키는 단계; 및 상기 하부 기판과 발광 다이오드 구조물을 분리시키는 단계를 포함하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
2 2
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3 3
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4 4
제1항에 있어서, 상기 아연염은, 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate) 또는 아연 클로라이드(Zinc chloride)인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
5 5
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7 7
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9 9
제1항에 있어서, 상기 씨드층을 형성하는 단계 이후에,상기 씨드층 상부에 홀을 가지는 성장 유도층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 홀을 통해 상기 씨드층의 표면 일부는 노출되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 결정성 막대의 형성은,제2 아연염을 포함하는 수화물, 제2 침전제 및 제2 과성장억제제를 포함하는 제2 배양용액을 준비하는 단계; 및상기 씨드층이 형성된 상기 하부 기판을 상기 제2 배양용액에 침지시키고 열에너지를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 제2 아연염을 포함하는 수화물은 Zn(NO3)2˙H2O, C4H6O4Zn˙2H2O 또는 ZnSO4˙7H2O이고
12 12
제1항에 있어서, 상기 결정성 막대를 형성하는 단계는,상기 하부 기판 상에 예비식각층을 형성하는 단계; 및상기 예비 식각층을 선택적으로 식각하여 상기 하부 기판의 일부를 노출시키고, 상기 예비식각층의 일부를 잔류시켜 상기 결정성 막대로 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 예비식각층은 ZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드 구조물을 형성하는 단계는,상기 결정성 막대 상부에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상부에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상부에 상기 제1 도전형 반도체층와 상보적 관계를 가지는 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 발광 다이오드 구조물은 3족 질화물계인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계 이전에 상기 결정성 막대 상부에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
17 17
제1항에 있어서, 상기 억셉터 기판을 배치시키는 단계 이전에, 상기 발광 다이오드 구조물 상부에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
18 18
제1항에 있어서, 상기 억셉터 기판은 도전성 재질로 구성되고, Si, SiC, GaAs, GaP, AlGaInP, Ge, SiSe, GaN, AlInGaN 또는 InGaN를 포함하거나, 금속물로서 Al, Zn, Ag, W, Ti, Ni, Au, Mo, Pt, Cu, Cr 또는 Fe의 단일 금속 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
19 19
제1항에 있어서, 상기 하부 기판과 상기 발광 다이오드 구조물의 분리는 상기 결정성 막대를 식각 용액 또는 식각 가스를 이용하여 제거시키는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 결정성 막대는 ZnO를 포함하고, 상기 식각 용액은 산성 용액인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
21 21
제19항에 있어서, 결정성 막대는 ZnO를 포함하고, 상기 식각 가스는 수소 또는 염소를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
22 22
아연염을 포함하는 수화물을 용매에 용해하여 제1 용액을 형성하는 단계;상기 제1 용액을 가열하여 졸 상태로 형성하는 단계;상기 졸 상태의 용액에 계면활성제를 투입하여 제2 용액을 형성하는 단계;상기 제2 용액을 하부 기판 상에 코팅한 후, 가열하여 겔 상태로 형성하여 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 상부에 수직 배향된 결정성 막대를 성장시키는 단계;상기 결정성 막대 상부에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상부에 억셉터 기판을 배치시키는 단계; 상기 하부 기판으로부터 상기 제1 도전형 반도체층을 분리시키는 단계; 및상기 억셉터 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층 상부에 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광다이오드 제조방법
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25 25
제22항에 있어서, 상기 아연염은, 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate) 또는 아연 클로라이드(Zinc chloride)인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
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30 30
제22항에 있어서, 상기 씨드층을 형성하는 단계 이후에,상기 씨드층 상부에 홀을 가지는 성장 유도층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 홀을 통해 상기 씨드층의 표면 일부는 노출되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
31 31
제30항에 있어서, 상기 결정성 막대의 형성은,제2 아연염을 포함하는 수화물, 제2 침전제 및 제2 과성장억제제를 포함하는 제2 배양용액을 준비하는 단계; 및상기 씨드층이 형성된 상기 하부 기판을 상기 제2 배양용액에 침지시키고 열에너지를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
32 32
제30항에 있어서, 상기 제2 아연염을 포함하는 수화물은 Zn(NO3)2˙H2O, C4H6O4Zn˙2H2O 또는 ZnSO4˙7H2O이고
33 33
제22항에 있어서, 상기 결정성 막대를 형성하는 단계는,상기 하부 기판 상에 예비식각층을 형성하는 단계; 및상기 예비 식각층을 선택적으로 식각하여 상기 하부 기판의 일부를 노출시키고, 상기 예비식각층의 일부를 잔류시켜 상기 결정성 막대로 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
34 34
제33항에 있어서, 상기 예비식각층은 ZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
35 35
제22항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계 이전에,상기 결정성 막대 상부에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
36 36
제22항에 있어서, 상기 억셉터 기판을 배치시키는 단계 이전에,상기 제1 도전형 반도체층 상부에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
37 37
제22항에 있어서, 상기 하부 기판으로부터 상기 제1 도전형 반도체층의 분리는 상기 결정성 막대를 식각 용액 또는 식각 가스에 용해시키는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
38 38
제37항에 있어서, 상기 결정성 막대는 ZnO를 포함하고, 상기 식각 용액은 산성 용액인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
39 39
제37항에 있어서, 결정성 막대는 ZnO를 포함하고, 상기 식각 가스는 수소 또는 염소를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
40 40
제1 막질 상부에 결정성 막대를 형성하는 단계;상기 결정성 막대 상부에 제2 막질을 형성하는 단계; 및상기 결정성 막대를 제거하여 상기 제1 막질과 상기 제2 막질을 분리시키는 단계를 포함하고,상기 결정성 막대는 아연염을 포함하는 수화물을 이용한 수열합성법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 막질의 분리방법
41 41
제40항에 있어서, 상기 제1 막질은 사파이어, ITO, 실리콘, GaN, SiC, ZnO, GaAs, InP, AlN, ScAlMgO4 또는 LiNbO3을 포함하고, 상기 제2 막질은 Si, SiC, GaAs, GaP, AlGaInP, Ge, SiSe, GaN, AlInGaN 또는 InGaN를 포함하는 것을 특징으로 하는 막질의 분리방법
42 42
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09034676 US 미국 FAMILY
2 US20130052767 US 미국 FAMILY
3 WO2011139004 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013052767 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9034676 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2011139004 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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