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제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층;상기 활성층으로부터 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나와 전기적으로 연결된 투명 전극; 및상기 투명 전극의 표면 중 적어도 일부에 형성되며, 표면의 적어도 일부에 요철 구조를 가지고, 상기 투명 전극과 다른 물질로 이루어지는 반사방지층;을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 반사방지층의 굴절률은, 상기 투명전극의 굴절률 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 반사방지층의 굴절률은, 상기 요철 구조와 접하여 계면을 이루는 물질의 굴절률 보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 투명전극의 굴절률은, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층의 굴절률 중 작은 값을 가지는 굴절률 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 반사방지층은 실리콘 질화물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서상기 요철 구조는 크기 및 주기가 불규칙하게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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7
제1항에 있어서상기 요철 구조 중 적어도 일부는, 원추 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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8
제1항에 있어서,상기 요철 구조 중 적어도 일부는, 경사면이 외측으로 볼록한 종 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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9
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 전극 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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10
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극 패드 중 적어도 하나는, 상기 투명 전극 상에 배치되며, 상기 반사방지층은 상기 제1 및 제2 전극 패드가 배치된 상기 투명 전극의 표면에는 형성되지 않은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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11
기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 활성층으로부터 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나와 전기적으로 연결된 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극의 표면에 상기 투명 전극과 다른 물질로 이루어진 반사방지층을 형성하는 단계;상기 반사방지층상에, 상기 반사방지층의 상면 중 적어도 일부를 노출시키도록 오픈 영역을 구비하는 마스크를 형성하는 단계; 및상기 오픈 영역을 통하여 상기 반사방지층을 식각하여 요철 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 마스크를 형성하는 단계는, 상기 반사방지층 상에 금속층을 형성하는 단계 및 복수의 클러스터를 형성하도록 상기 금속층을 응집시키는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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13
제12항에 있어서,상기 금속층은, 단일 금속 또는 합금으로 이루어진 반도체 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속층의 두께는, 10 ~ 250Å인 반도체 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속층을 응집시키는 단계에 의하여 얻어진 금속 응집체는, 그 크기와 주기가 불규칙한 반도체 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속층을 응집시키는 단계는, 상기 금속층을 열처리하여 실행되는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서,상기 열처리는 300 ~ 650℃의 온도 조건으로 실행되는 반도체 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속층은 Au, Pt, Ni, Ru, Al, Ag, Co 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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