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기판 상부에,상기 기판과 반대의 전하로 하전되어 있으며 입자 크기가 균일한 콜로이드 입자(1)층과, 상기 콜로이드 입자(1)와 반대의 전하로 하전되어 있으며 상기 콜로이드 입자(1) 보다 크기가 작은 콜로이드 입자(2)층이,상기 기판과 수직방향으로 적층되어 다중 입자층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막
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제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 입자는 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 실리카(SiO2), 이산화티탄(TiO2), 금(Au), 은(Ag) 및 실리콘(Si) 중에서 선택된 입자인 것을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막
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고분자 전해질 용액에 기판을 반복 침지하여 기판 표면에 양전하 또는 음전하를 도입하는 제 1 단계; 상기 양전하 또는 음전하가 도입된 기판을, 균일한 크기를 가지고 있고 기판과는 반대 전하를 띠고 있는 콜로이드 입자가 분산된 용액에 침지하여 상기 콜로이드 입자를 기판에 부착시키는 제 2 단계; 상기 2 단계에서 기판에 부착된 콜로이드 입자의 표면 상부에 평판형 스탬프를 사용하여 콜로이드 입자와 반대의 전하를 전이시키는 제 3 단계; 및 상기 3 단계에서 양전하 또는 음전하가 전이된 콜로이드 입자가 부착된 기판을, 상기 2 단계에서 사용된 콜로이드 입자보다 크기가 작은 콜로이드 입자가 분산된 용액에 침지하여, 큰 콜로이드 입자의 표면 상부에 작은 콜로이드 입자를 부착시키는 제 4 단계 를 포함하는 것임을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 2 단계 내지 제 4 단계를 반복 수행하여 다중의 콜로이드 입자층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 양전하를 가지는 고분자는 함질소 고분자인 것임을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 음전하를 가지는 고분자는 카르복시산기, 술폰산기, 질산기 또는 인산기를 함유하는 고분자인 것임을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 음전하를 가지는 고분자는 카르복시산기, 술폰산기, 질산기 또는 인산기를 함유하는 고분자인 것임을 특징으로 하는 점진적인 굴절률 분포를 갖는 반사 방지막의 제조방법
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