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질화인듐갈륨 활성 우물을 포함하는 양자우물 구조를 이용한백색 발광 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174688
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 백색 발광 다이오드(White Light Emitting Diode: White LED)에 관한 것으로, 기판 상에, n-형 질화갈륨층, 질화인듐갈륨 우물과 장벽으로 이루어진 양자우물 구조의 2가지 이상의 조합, 및 p-형 질화갈륨층을 차례로 포함하는 본 발명의 발광 다이오드는, 단일 구조의 질화물 반도체 백색 발광 다이오드로서 발광이 효율적이고, 소자 제조공정이 획기적으로 단축되는 장점이 있다.
Int. CL H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1019990019065 (1999.05.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0074844 (2000.12.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.05.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동준 대한민국 광주광역시북구
2 문용태 대한민국 광주광역시북구
3 송근만 대한민국 광주광역시북구
4 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.05.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-0052350-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0035251-25
4 의견서
Written Opinion		 2001.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-0088772-85
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.04.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0088778-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0247975-23
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0110853-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

기판 상에, n-형 질화갈륨층, 일반식(I)의 질화인듐갈륨으로 형성된 우물과 질화갈륨, 질화알루미늄갈륨 및 일반식(II)의 질화인듐갈륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 형성된 장벽을 포함하는 양자우물 구조의 2가지 이상의 조합, 및 p-형 질화갈륨층을 차례로 포함하는 백색 발광 다이오드:

화학식 1

InxGa1-xN (I)

화학식 2

InyGa1-yN (II)

상기 식에서, x 및 y는 각각 0 보다 크고 1보다 작은 수이며, 단, y는 x보다 작다

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 양자우물 구조의 조합이, In0

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 양자우물 구조의 조합이, In0

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 양자우물 구조가, 두께가 2 내지 7㎚인 질화인듐갈륨 우물 및 두께가 5 내지 10㎚인 장벽으로 이루어진 층을 1 내지 15층 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드

5 5

1) 기판 상에 n-형 질화갈륨층을 형성시키는 단계; 2) 일반식(I)의 질화인듐갈륨 우물층을 형성시키는 단계; 3) 상기 우물층 상에 질화갈륨, 질화알루미늄갈륨 및 일반식(II)의 질화인듐갈륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 장벽을 형성시켜 양자우물 구조를 형성시키는 단계; 선택적으로, 4) 단계 2) 및 3)을 반복하는 단계; 5) 단계 2) 내지 4)를 1회 이상 반복하여 2가지 이상의 양자우물 구조의 조합을 형성시키는 단계; 및 6) p-형 질화갈륨층을 형성시키는 단계를 포함하는 백색 발광 다이오드의 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 양자우물 구조가, 두께가 2 내지 7㎚인 질화인듐갈륨 우물 및 두께가 5 내지 10㎚인 장벽으로 이루어진 층을 1 내지 15층 포함하는 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 5 항에 있어서,

단계 2)를, 인듐 전구체 1 내지 100 마이크로몰/분, 갈륨 전구체 10 내지 100 마이크로몰/분, 성장속도 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.