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발광다이오드

  • 기술번호 : KST2014013580
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 질화갈륨층과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과, n형 전극과, p형 전극을 포함하여 이루어지는 III-V 질화물계 발광 다이오드에 있어서 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광결정 구조를 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층에 형성함으로써 광결정 구조를 가지면서도 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹전극도 용이하게 형성할 수 있고 광추출 효율을 증가시킬 수 있고, 활성층이나 p형 질화갈륨 박막이 건식 식각에 의한 데미지를 입는 것을 방지할 수 있다.발광 다이오드, 광결정 구조, 광추출 효율
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1020060032387 (2006.04.10)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0794121-0000 (2008.01.04)
공개번호/일자 10-2007-0101424 (2007.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20080110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 전북 전주시 완산구
2 박성주 대한민국 광주 북구
3 김자연 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김삼용 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩) (인비전 특허법인)
2 이재관 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)
3 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0248102-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019250-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0282033-23
5 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0448738-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0531961-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0610043-94
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0610049-67
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0689354-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도핑되지 않은 질화갈륨층과, n형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지며 상기 질화갈륨층 상에 형성되는 하부 접촉층과, AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 장벽층 및 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지며 상기 하부 접촉층의 소정영역 상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며 p형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 상부 접촉층과, 상기 하부 접촉층에 있어서 상기 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 상기 상부 접촉층 상에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지되,상기 질화갈륨층은1차 질화갈륨층;상기 1차 질화갈륨층에 무기물 또는 유기물을 사용하여 형성된 광결정 구조; 및상기 1차 질화갈륨층에 형성된 광결정 구조 상에 형성된 2차 질화갈륨층을 구비한 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조는 포토닉 밴드갭이 형성되는 직사각형 배열 또는 육각형 배열인 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드
5 5
제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조에 있어서 홀의 모양은 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 질화갈륨층은 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.