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발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015174628
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 기판과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과, n형 전극과, p형 전극을 포함하여 이루어지는 III-V 질화물계 발광 다이오드에 있어서 기판은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광결정 구조를 기판에 형성함으로써 광추출 효율이 증대될 뿐만 아니라 p형 질화갈륨층이 그 특성을 잃지 않고 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹전극도 용이하게 형성할 수 있다.발광 다이오드, 광결정 구조, 광추출 효율
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060032381 (2006.04.10)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0101421 (2007.10.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김자연 대한민국 전북 전주시 완산구
2 박성주 대한민국 광주 북구
3 이기성 대한민국 광주 북구
4 권민기 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김삼용 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩) (인비전 특허법인)
2 이재관 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)
3 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0248079-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019249-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0282032-88
5 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0448738-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0531938-55
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0610033-37
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0610030-01
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0689347-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
기판과, 상기 기판 상에 형성되며 n형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 하부 접촉층과, AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 장벽층 및 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지며 상기 하부 접촉층의 소정영역 상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며 p형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 상부 접촉층과, 상기 하부 접촉층에 있어서 상기 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 상기 상부 접촉층 상에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지되,상기 기판은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 산화알루미늄(사파이어), 실리콘(Si), 질화갈륨 (GaN) 비소화갈륨(GaAs), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO) 및 유리로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드
3 3
제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조는 무기물 또는 유기물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조는 포토닉 밴드갭이 형성되는 직사각형 배열 또는 육각형 배열인 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드
5 5
제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조에 있어서 홀의 모양은 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.