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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174048
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 반도체 발광 다이오드는, 제1 장벽층과, 제2 장벽층과, 제1 및 제2 장벽층 사이에 개재된 반도체로 된 활성층으로서 다수개의 양자점이 면 방향으로 분포된 양자점층과 양자점층의 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층이 교번적으로 적층된 활성층을 포함하고, 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링된다. 이러한 본 발명의 반도체 발광 다이오드는 매우 간단하고 경제성 있는 방식으로 백색 등의 다양한 컬러가 발광되는 다이오드를 제공할 수 있다.양자점, 장벽층, 전기적 커플링, 백색 발광
Int. CL H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070020053 (2007.02.28)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0846293-0000 (2008.07.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주 북구
2 박일규 대한민국 충북 음성군
3 권민기 대한민국 전북 전주시 완산구
4 조주영 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0171894-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006677-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0082225-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0272222-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0272220-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0345255-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 발광 다이오드에 있어서,제1 장벽층;제2 장벽층; 및상기 제1 및 제2장벽층 사이에 개재되고, 다수개의 양자점이 면방향으로 분포된 양자점층과 상기 양자점층의 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층이 교번적으로 적층된 활성층을 포함하고,상기 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 상호 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링되며,상기 각 층의 에너지 밴드 갭이 제1 및 제2 장벽층 > 중간 박막층 > 양자점층이고, 상기 양자점층에서 발광하는 광선의 파장은 상기 중간 박막층에서 발광하는 광선의 파장에 비해 장파장인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 양자점층의 양자점은 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
제3항에 있어서, 상기 중간 박막층은 상기 양자점층의 InGaN 보다 In의 조성비가 큰 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
제4항에 있어서, 상기 중간 박막층은 두께가 5nm 이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 장벽층은 각각 n형 GaN과 p형 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
7 7
반도체 발광 다이오드 제조방법에 있어서,기판 상에 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조를 형성하는 단계;상기 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조 상에, 면방향으로 분포되는 다수의 양자점으로 이루어지는 양자점층과 상기 양자점층의 양자점들을 둘러싸도록 상기 양자점층을 포함하는 전면에 형성되는 중간 박막층이 교번적으로 다수 회 적층된 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 제2 장벽층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 상호 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링되며,상기 각 층의 에너지 밴드 갭이 제1 및 제2 장벽층 > 중간 박막층 > 양자점층이고, 상기 양자점층에서 발광하는 광선의 파장은 상기 중간 박막층에서 발광하는 광선의 파장에 비해 장파장인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 각 중간 박막층 상에 형성되는 양자점층의 양자점의 일부 또는 전부가, 하위 양자점층의 양자점에 의해 그 부위의 중간 박막층에 발생되는 응력 집중에 의해 그 부위에 우선 형성됨으로써 이웃하는 양자점층간에 양자점의 분포 패턴이 유사하게 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 상기 양자점층의 양자점은 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 중간 박막층은 상기 양자점층의 InGaN 보다 In의 조성비가 큰 InGaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 양자점층이 형성되는 상기 제1 장벽층을 포함하는 스택 구조의 표면은 GaN인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
13 13
제7항에 있어서, 상기 중간 박막층은 두께가 5nm 이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.