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발광 다이오드 및 레이저 다이오드 구현을 위한 오믹접촉금속박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174779
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨(GaN) 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드(LED)와 레이저다이오드(LD)의 구현에 있어서 선결 기술의 하나인 n형 질화갈륨(GaN) 반도체의 오믹접촉(Ohmic contact)형성에 관한 금속박막의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에서는 전도성 질화물을 형성할 수 있는 바나듐(V)을 질화갈륨 위에 접촉금속으로 하고, 티타늄(Ti)을 중간층으로, 산화에 안정한 금(Au)을 캡핑(capping)층으로 하는 바나듐(V)/티타늄(Ti)/금(Au)으로 구성된 3층 금속박막, 또는 Ti/V/Au 박막을 증착하여 발광다이오드 및 레이저다이오드용 금속박막의 우수한 열적, 전기적, 구조적 특성을 갖는 오믹접촉 금속계(ohmic metallization scheme)을 구현하였다.본 발명에 의한 오믹접촉 형성은 n형 질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 발광다이오드 및 레이저다이오드의 상업화를 위한 핵심 기술들 중의 하나인 오믹전극공정 기술을 제공함으로써 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성과 같은 매우 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대되기 때문에 발광다이오드 및 레이저다이오드의 개발에 이용될 수 있다.오믹접합, 바나듐, 질화갈륨(GaN), 전도성 질화물
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020020084012 (2002.12.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0057323 (2004.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준오 대한민국 광주광역시북구
2 김상호 대한민국 광주광역시북구
3 성태연 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-0429662-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0043825-86
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0028182-57
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0146351-65
8 의견서
Written Opinion		 2005.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0146198-75
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0286669-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

발광 다이오드 및 레이저 다이오드의 광 디바이스 구현을 위한 오믹접촉 금속박막의 제조방법에 있어서,

산화알루미늄기판 위에 n형 오믹접촉 형성을 위한 n형 질화갈륨(GaN) 반도체를 형성한 후, 상기 n형 질화갈륨(GaN) 반도체 위에 접촉금속층/중간층/캡핑층으로 바나듐(V)/티타늄(Ti)/금(Au)이 순차적으로 적층되어 3층 금속박막의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 금속박막의 제조방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 n형 질화갈륨(GaN) 반도체 위에 3층 금속박막의 구조를 형성하기 위한 접촉금속층/중간층/캡핑층으로 티타늄(Ti)/바나듐(V)/금(Au)이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 오믹접촉 금속박막의 제조방법

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 3층 금속박막 구조의 중간층으로 티타늄(Ti) 대신에 텅스텐(W)이나 니켈(Ni)을 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 금속박막의 제조방법

4 4

청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 3층 금속박막의 증착조건은 PVD (physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition) 및 PLD(plasma laser deposition) 방법으로 증착되며, 증착 온도는 -20 ℃ - 1,500 ℃ 이고, 증착시 진공환경은 대기압 ∼ 10-12 Torr 인 것을 특징으로 하는 오믹접촉 금속박막의 제조방법

5 5

청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 3층 금속박막 증착시 열처리에 사용되는 분위기 가스로는 질소, 아르곤, 헬륨, 산소, 수소 등이 사용되며, 상기 열처리 시간은 1초 ~ 10시간 범위내에서 실시하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 금속박막의 제조방법

6 6

청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 3층 금속박막에 해당하는 각층의 두께는 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.