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커패시터용 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174881
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학적 방법으로 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법에 의해 얻어진 탄탈륨 산화물박막을 600∼850℃의 산소분위기에서 급속열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법이 제공된다.이러한 본 발명에 따르면 종래의 스퍼터, 기상화학중착법등을 이용한 경우에 비해 경제성이 있을 뿐만 아니라 양질의 Ta산화물을 제조할 수 있어 DRAM과 같은 전자소자에 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/02183(2013.01)
출원번호/일자 1020000039101 (2000.07.08)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0395513-0000 (2003.08.11)
공개번호/일자 10-2002-0005121 (2002.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20030825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.07.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안광순 대한민국 광주광역시북구
2 성영은 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2000-0142634-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0013752-17
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0079833-06
4 의견서
Written Opinion		 2002.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0079834-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0346502-31
6 의견서
Written Opinion		 2002.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0386761-29
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.11.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0386760-84
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0179363-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

삭제
3 3

전기화학적 방법으로 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 있어서,

암모늄타트레잇을 전해질로 사용하여 탄탈륨 산화물 박막을 얻는 단계, 및

상기 탄탈륨 산화물 박막을 600∼850℃ 미만의 산소분위기에서 급속열처리를 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법

4 4

삭제
5 5

제 3항에 있어서, 상기 급속열처리 시간은 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.