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엑스선을 이용한 실리콘의 습식 에칭 방법

  • 기술번호 : KST2015173959
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 엑스선을 이용한 실리콘의 습식 에칭 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛이 없는 조건에서 불산 용액에 담긴 실리콘의 표면에 엑스선을 조사함으로써 선택적인 습식에칭을 할 수 있는 방법으로 엑스선이 조사된 부분의 실리콘 내부 및 표면에서 발생된 홀들은 용액내의 불산이온과 반응하여 실리콘이 용액 내로 용해될 수 있게 한다. 본 발명은 기존의 광원으로 사용된 레이저 및 자외선과 함께 이용 가능한 광원의 영역을 엑스선까지 확장시켰으며 기존광원에 비해 짧은 파장을 갖는 엑스선을 이용한 습식에칭은 나노 크기의 영역까지 선택적 에칭에 활용될 수 있고, 공간상의 고분해능을 갖는 장점을 제공한다. 실리콘, 엑스선, 싱크로트론, 에칭, 광화학
Int. CL H01L 21/3063 (2011.01)
CPC H01L 21/30608(2013.01)
출원번호/일자 1020050008703 (2005.01.31)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0668643-0000 (2007.01.08)
공개번호/일자 10-2006-0087847 (2006.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20070116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조인화 대한민국 광주 북구
2 김도형 대한민국 광주 북구
3 노도영 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0058492-07
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0061012-87
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2005.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-5014825-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0228760-18
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0453119-36
6 의견서
Written Opinion		 2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0528356-87
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0528352-05
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0606235-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
m형 또는 p형 실리콘의 에칭방법에 있어서, 엑스선을 조사하여 습식으로 실리콘을 에칭하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
2 2
제 1항에 있어서, 상대 전극을 넣지 않고 실리콘을 불산 용액 내에 고립시킴으로써, 엑스선에 의해 노출된 양극 영역과 노출되지 않은 음극 영역으로 작용시켜 에칭하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
3 3
제 1항에 있어서, 상대전극을 넣고 전압인가 또는 전류를 흘려주며 실리콘을 에칭하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
4 4
제 3항에 있어서, 상대전극은 불산 용액 내에서 안정한 백금 또는 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
5 5
제 1항에 있어서, 불산용액의 농도를 조절시켜 에칭하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
6 6
제 1항에 있어서, 엑스선의 파장은 0
7 7
제 5항에 있어서, 불산용액의 농도는 0
8 8
제 5항에 있어서, 불산용액은 불산에 질산 또는 염산이 혼합된 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
9 8
제 5항에 있어서, 불산용액은 불산에 질산 또는 염산이 혼합된 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선을 이용한 광화학적 습식 에칭방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.