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기판; 게이트 전극; 게이트 절연막; 소스 전극 및 드레인 전극; 및 반도체를 포함하고,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 전도성 수계 잉크를 사용하여 형성된 패턴을 갖고,상기 게이트 절연막은 상부에 소수성 표면 처리층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 전도성 수계 잉크는 은 나노 입자 잉크인 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 소수성 표면 처리층은 실란계 헥사메틸다이실란 (Hexamethyldisilane; HMDS), 메타크릴록시프로필트리메톡실란(Methacryloxy propyl trimethoxysilane; MPS), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane; OTS), 플로로알킬트리클로로실란 (Fluoroalkyltrichlorosilane; FTS), 데실트리클로로실란 (Decyltrichlorosilane; DTS)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 유기 박막 트랜지스터 전극의 액체 표면 접촉각이 100°~110°인 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 소수성 표면처리층의 두께가 10~50nm인 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 반도체 층은 펜타센[pentacene], 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐) 펜타센[6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) (TIPS) pentacene], 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylenevinylene, MDMO-PPV], C60, 및 페닐-C61-뷰티릭엑시드 메틸에스터[[6,6]phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PCBM] 로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상으로 이루어진 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 기판은 폴리에스터 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에테르설폰 (PES) 필름, 폴리카보네이트(polycarbonate), PEN(polyethylene-naphthelate), PET(polye또는 박형 유리인 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 두께는 10nm ~ 1㎛ 인 유기 박막 트랜지스터 전극
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 유기 박막 트랜지스터 전극을 이용한 표시소자
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제9항에 있어서,상기 표시소자는 유기발광디스플레이, 전자종이 또는 액정디스플레이로부터 선택되는 표시소자
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 소수성 표면 처리층을 형성하는 단계;상기 소수성 표면 처리층에 수계 잉크로 패턴을 형성하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 전극과 중첩하게 반도체를 형성하는 단계;를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 전극의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은 은 나노 입자를 포함하는 전도성 수계 잉크를 사용하여 잉크젯 프린팅 방식으로 형성되는 유기 박막 트랜지스터 전극의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 소수성 표면 처리층 형성 단계가 소수성 표면 처리층 구성 물질을 도포한 후 70~90℃에서 20분 동안 1차 열처리 한 후, 용매로 세척하고 70~90℃에서 20 동안 2차 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 소수성 표면 처리층 구성 물질이 실란계 헥사메틸다이실란 (Hexamethyldisilane; HMDS), 메타크릴록시프로필트리메톡실란(Methacryloxy propyl trimethoxysilane; MPS), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane; OTS), 플로로알킬트리클로로실란 (Fluoroalkyltrichlorosilane; FTS), 데실트리클로로실란(Decyltrichlorosilane; DTS)로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상인 유기 박막 트랜지스터 전극의 제조방법
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