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비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015131218
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법은, 반도체 기판의 상부에 헥사메틸디실라잔 층을 도포하고, 나노 채널을 상기 헥사메틸디실라잔 층의 상부에 형성하는 단계, 상기 나노 채널이 형성된 헥사메틸디실라잔 상부에 제 1 포토리소르라피를 수행하여 제 1 공간부를 형성하고, 상기 제 1 공간부 및 제 1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하여 상기 나노 채널의 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 나노 채널의 표면에 원자층 증착법을 수행하여 터널링 층, 전자저장 층 및 산화물 층을 포함하는 기억소자층을 실린더 형태로 형성하는 단계, 상기 기억소자층, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 상기 반도체 기판의 상부에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그라피를 수행하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제 2 공간부를 형성하는 단계, 상기 형성된 제 2 공간부 및 제 2 포토레지스트상부에 금속층을 적층하고, 상기 제 2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 기억소자층인 터널링 층, 전하저장 층, 산화물 층을 알루미나를 이용하여 원자층증착법으로 형성하기 때문에, 메모리 동작 전압을 감소시킬수 있으며, 보다 빠른 메모리 동작 속도를 구현할 수 있으며, 채널의 길이를 조절할 수 있고, 나노 채널 주위에 실린더 형태로 터널링 층, 전하 층 및 산화물 층을 균일하게 코팅하여 메모리 소자 자체의 화학적, 물리적 안정성 및 소자의 동작 전압을 감소시킬 수 있으며, 간단한 공정으로도 반도체 나노 채널에 메모리 구조 및 실린더 형태의 게이트를 제조할 수 있도록 지원함으로써, 전자의 표면 산란을 현저히 줄여 메모리 전자소자의 동작 속도를 개선할 수 있는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070019281 (2007.02.26) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0955879-0000 (2010.04.26) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0079148 (2008.08.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100504) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.01.25) |
| 심사청구항수 | 13 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김상식 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 2 | 김기현 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 3 | 정동영 | 대한민국 | 서울 송파구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관) |
| 2 | 현종철 | 대한민국 | 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 서울특별시 강남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0167040-87 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.03.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5043540-16 |
| 3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2008.01.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0063215-09 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.04.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.05.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0029875-13 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0447830-45 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.12.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0809385-73 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.12.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0809383-82 |
| 11 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0203392-60 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.03.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0131482-06 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판의 상부에 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane:HMDS) 층을 도포하고, 상기 헥사메틸디실라잔 층의 상부에 나노 채널을 형성하는 단계; 상기 나노 채널이 형성된 헥사메틸디실라잔 상부에 제 1 포토리소그라피를 수행하여 제 1 공간부를 형성하고, 상기 제 1 공간부 및 제 1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하여 상기 나노 채널의 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 나노 채널의 표면에 터널링 층, 전자저장 층 및 산화물 층이 순차적으로 증착되어 형성된 기억소자층을 실린더 형상으로 형성하는 단계; 상기 기억소자층, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 상기 반도체 기판의 상부에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그라피를 수행하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제 2 공간부를 형성하는 단계; 상기 형성된 제 2 공간부 및 제 2 포토레지스트의 상부에 금속층을 금속층을 적층하고, 상기 제 2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 나노 채널은 1차원 나노 채널을 포함하되, 상기 1차원 나노 채널은 반도체 나노선, 탄소나노튜브 또는 유기튜브로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 나노 채널은 전기로 또는 화학 기상 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 터널링 층, 전하저장 층 및 산화물 층은 원자층 증착법을 이용하여 형성되고, 상기 터널링 층, 전하저장 층 및 산화물 층은 알루미나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 알루미나의 전구체는 트리메틸알루미늄 및 증류수인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 티타늄 층 및 금 층을 포함하고, 상기 티타늄 층과 금 층은 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 헥사메틸디실라잔 층의 상부에 나노 채널을 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판과 상기 헥사메틸디실라잔 막 사이에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법 |
| 9 |
9 반도체 기판의 상부에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 반도체 기판의 상부로부터 소정의 간격을 두고 이격되며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 연결하는 나노 채널; 상기 나노 채널을 감싸는 터널링 층; 상기 터널링 층을 감싸는 전하저장 층; 상기 전하저장 층을 감싸는 산화물 층; 상기 산화물 층을 감싸며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 이격되고, 반도체 기판의 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하며, 상기 터널링 층, 전하저장 층 및 산화물 층이 차례대로 증착된 상기 나노 채널은 실린더 형상을 가지고, 상기 반도체 기판의 상부에 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane:HMDS) 막을 형성하고, 상기 헥사메틸디실라잔 막 위에 상기 나노 채널을 형성하고, 상기 나노 채널에 의해 연결된 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한 다음, 상기 헥사메틸디실라잔 막을 제거함으로써, 상기 나노 채널이 상기 반도체 기판의 상부로부터 소정의 간격을 두고 이격되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 나노 채널은 반도체 나노선, 탄소나노튜브 및 유기 튜브로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 나노 채널은 상기 반도체 기판의 상부로부터 이격되고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자 소자 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상부에 절연층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자 |
| 13 |
13 제 9 항에 있어서, 상기 터널링 층, 전하저장 층 및 산화물 층은 알루미나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 전자소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0955879-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070226 출원 번호 : 1020070019281 공고 연월일 : 20100504 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100330 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150427 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구... |
| 2 |
(의무자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구... |
| 2 |
(권리자) 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2010년 04월 27일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2013년 04월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2014년 03월 21일 | 납입 |
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0167040-87 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.03.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5043540-16 |
| 3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2008.01.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0063215-09 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.04.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2009.05.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0029875-13 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2009.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0447830-45 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.12.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0809385-73 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.12.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0809383-82 |
| 11 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0203392-60 |
| 12 | 등록결정서 | 2010.03.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0131482-06 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1340011274 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-005-J03601 |
| 연구과제명 | 나노신소자계측,분석,모델연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200609~200908 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1350009376 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-01237 |
| 연구과제명 | 이종차원하이브리드나노재료를이용한메모리/광나노소자개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200504~200703 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1410049472 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10022916 |
| 연구과제명 | 전자제어반도체나노튜브소재에대한연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200212~200705 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415077324 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029907 |
| 연구과제명 | 차세대비휘발성메모리(테라비트급NFGM,PoRAM,ReRAM)개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345122049 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-2002746 |
| 연구과제명 | 무기물 나노입자/나노선을 이용한 플렉시블 광센서 어레이 및 디스플레이 제작 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | SECRET PROJECT |
| 연구주관기관명 | SECRET PROJECT |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200706~201305 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415109131 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10030559 |
| 연구과제명 | 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200709~201108 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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