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블록공중합체 마이셀을 이용한 수직성장 ＺｎＯ 나노와이어의 면밀도 제어방법

  • 기술번호 : KST2015125386
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에서 수직방향으로 성장한 ZnO 나노와이어의 면밀도(area density)를 제어할 수 있는 신규 방법을 제시한다. 본 특허는 한 종류의 블록공중합체 마이셀의 코어에는 금속나노입자의 전구체가 로딩되며, 나머지 한 종류의 마이셀의 코어에는 금속나노입자의 전구체가 로딩되지 않은 두 종류의 다른 블록공중합체 마이셀의 혼합비율을 조절함으로써, 기판 위의 스핀코팅된 금속나노입자 촉매의 면밀도를 조절하고, 결과적으로 금속나노입자 촉매로부터 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 방법에 의하여 성장하는 ZnO 나노와이어의 면밀도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다. 마이셀, ZnO, 나노와이어, 면밀도
Int. CL B82Y 35/00 (2011.01) C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080129944 (2008.12.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1010071-0000 (2011.01.14)
공개번호/일자 10-2010-0071285 (2010.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 김태희 대한민국 서울특별시 양천구
3 황원석 대한민국 서울 서초구
4 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
5 최지혁 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 성진우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0873223-96
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0896162-82
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0017687-41
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO 나노와이어의 기판에 대한 면밀도를 제어하기 위한 방법으로서, 금속나노입자 전구체가 코어에 로딩되어 있는 블록공중합체 마이셀과, 금속나노입자 전구체가 코어에 로딩되어 있지 않은 블록공중합체 마이셀의 혼합비율을 조절하여 혼합용액을 제조하는 단계(I); 상기 두 종류의 혼합 블록공중합체 마이셀 용액을 기판 위에 스핀코팅 한 후 열분해(thermal decompositon)하여 면밀도가 제어된 금속나노입자를 기판 위에 제조하는 단계(II); 및 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 방법에 의하여 상기 면밀도가 제어된 금속나노입자로부터 ZnO 나노와이어를 제조하는 단계(III)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
2 2
제 1 항에서, 상기 금속나노입자 전구체가 Au, Cu, 또는 Ag 계열 전구체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
3 3
제 1 항에서, 상기 금속나노입자 전구체가 코어에 로딩되어 있는 블록공중합체 마이셀은 상기 코어에 금속나노입자 전구체가 배위결합되어 있는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
4 4
제 1 항에서, 상기 단계(II)는 온도 250 ~ 300℃ 사이에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
5 5
제 1 항에서, 상기 금속나노입자 전구체가 HAuCl4ㆍ3H2O일 때, 상기 금속나노입자 전구체가 로딩되어 있는 마이셀은 PS-b-P4VP(polystyrene-block-poly(4-vinyl pyridine))이고, 상기 금속나노입자 전구체가 로딩되어 있지 않은 마이셀은 PS-b-PAA(polystyrene - block - poly(acrylic acid))인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
6 6
제 1 항에서, 상기 단계(II)에서 상기 혼합 블록공중합체 마이셀 용액을 스핀코팅하지 않고, 패턴화된 마이크로몰드에 상기 혼합 블록공중합체 마이셀 용액을 묻혀서 직접 기판에 접촉시켜 패턴을 기판에 전달한 후 열분해시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
7 7
제 1 항에서, 상기 단계(II)와 단계(III)가 연속공정으로서 하나의 반응기 내에서 일어나는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어의 면밀도 제어방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 BK21(국고) BK21휴먼트로닉스정보소재사업단-3차년도