요약 | 본 발명에 따른 양자점 태양전지의 제조방법은 (a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및 (b) 상기 실리콘 막에 수소 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함한다.또한, 본 발명에 따른 양자점 식각 방법은 (a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및 (b) 상기 실리콘 막에 수소 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
CPC | H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100120334 (2010.11.30) |
출원인 | 한국기초과학지원연구원 |
등록번호/일자 | 10-1266126-0000 (2013.05.14) |
공개번호/일자 | 10-2012-0058843 (2012.06.08) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130527) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.11.30) |
심사청구항수 | 12 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국기초과학지원연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 유석재 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 오경숙 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 이봉주 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 김대철 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 김종식 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 김영우 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국기초과학지원연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0786511-70 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0409102-57 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5212108-42 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.02.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0077065-93 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0278566-12 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.04.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0278568-14 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.08.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5184331-50 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.08.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5184293-13 |
9 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2012.09.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0557510-35 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0812278-50 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.10.08 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0812279-06 |
12 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.02.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0103181-71 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5058545-81 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5058386-17 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5135881-88 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 양자점 태양전지의 제조 방법에 있어서,(a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및(b) 상기 실리콘 막에 수소 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 제조 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스를 주입하는 단계 및상기 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘 막이 형성되는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 제조 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스 및 비활성 가스를 혼합하여 주입하는 단계 및상기 실레인(SiH4) 가스 및 상기 비활성 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘 막이 형성되는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
4 |
4 제 2 또는 제 3 항에 있어서,상기 형성된 중성입자가 가진 에너지에 따라 상기 중성입자가 상기 아몰퍼스 실리콘 또는 상기 나노 크리스탈로 형성되는 것인 양자점 태양전지의 제조 방법 |
5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 제조 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 수소 가스와 비활성 기체를 혼합하여 주입하는 단계 및상기 수소 가스와 상기 비활성 기체의 주입에 의하여 형성된 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계의 수행 후 (b) 단계의 수행 전에, 상기 실리콘 막이 형성된 기판에 대하여 어닐링을 수행하는 단계를 더 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 어닐링을 수행하는 단계는, 상기 기판에 중성입자빔을 조사하는 단계 및 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 단계 중 하나 이상의 단계를 수행하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
8 |
8 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 어닐링을 수행함에 따라 상기 나노 크리스탈의 크기가 1~5nm 만큼 확대되는 것인 양자점 태양전지의 제조 방법 |
9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 아몰퍼스 실리콘이 식각된 기판에 질소 중성입자빔을 조사하여 상기 나노 크리스탈의 표면에 절연막을 코팅시키는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 절연막을 코팅시키는 단계를 수행한 후에,아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 추가로 형성하는 단계,상기 추가로 형성된 실리콘 막에 대하여 어닐링을 수행하는 단계,상기 추가로 형성된 실리콘 막으로부터 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계 및상기 아몰퍼스 실리콘이 식각된 기판에 절연막을 코팅시키는 단계를 더 수행하는 양자점 태양전지의 제조 방법 |
11 |
11 양자점 식각 방법에 있어서,(a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및(b) 상기 실리콘 막에 수소 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 식각 방법 |
12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 식각 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 수소 가스와 비활성 기체를 혼합하여 주입하는 단계 및상기 수소 가스와 상기 비활성 기체의 주입에 의하여 형성된 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 식각 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1266126-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20101130 출원 번호 : 1020100120334 공고 연월일 : 20130527 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130214 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 양자점 식각 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2013년 05월 15일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2016년 04월 05일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2017년 03월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 152,000 원 | 2018년 04월 11일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2019년 03월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0786511-70 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0409102-57 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5212108-42 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.02.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0077065-93 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0278566-12 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.04.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0278568-14 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.08.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5184331-50 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.08.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5184293-13 |
9 | 최후의견제출통지서 | 2012.09.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0557510-35 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0812278-50 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.10.08 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0812279-06 |
12 | 등록결정서 | 2013.02.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0103181-71 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5058545-81 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5058386-17 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5135881-88 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1711008677 |
---|---|
세부과제번호 | EN1321 |
연구과제명 | 플라즈마 융합 원천 연구사업 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201301~201312 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345135879 |
---|---|
세부과제번호 | EN1021 |
연구과제명 | 플라즈마를 활용한 융복합 연구사업 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 국가핵융합연구소 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 201001~201012 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415107024 |
---|---|
세부과제번호 | KI002182 |
연구과제명 | 차세대 디스플레이용 TFT 백플레인 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국디스플레이연구조합 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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