| 1 |
1
양자점 형성 방법에 있어서,(a) 기판에 절연층을 형성하는 단계,(b) 절연층 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및(c) 상기 실리콘 막으로부터 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계 를 포함하는 양자점 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 기판에 질소 중성입자빔을 조사하여 절연막을 형성시키는 단계를 포함하는 양자점 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 양자점 형성 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스를 주입하는 단계 및상기 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘 막이 형성되는 단계를 포함하는 양자점 형성 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 양자점 형성 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스 및 비활성 가스를 혼합하여 주입하는 단계 및상기 실레인(SiH4) 가스 및 상기 비활성 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘 막이 형성되는 단계를 포함하는 양자점 형성 방법
|
| 5 |
5
제 3 또는 제 4 항에 있어서,상기 형성된 중성입자가 가진 에너지에 따라 상기 중성입자가 상기 아몰퍼스 실리콘 또는 상기 나노 크리스탈로 형성되는 것인 양자점 형성 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는, 상기 기판에 수소 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 형성 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계의 수행 후 (c) 단계의 수행 전에,상기 실리콘 막이 형성된 기판에 대하여 어닐링을 수행하는 단계를 더 수행하는 양자점 형성 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 어닐링을 수행하는 단계는, 상기 기판에 비활성 기체 원소 중성입자빔을 조사하는 단계 및 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 단계 중 하나 이상의 단계를 수행하는 양자점 형성 방법
|
| 9 |
9
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 어닐링을 수행함에 따라 상기 나노 크리스탈의 크기가 1~5nm 만큼 확대되는 것인 양자점 형성 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계의 수행 후에,상기 기판에 질소 중성입자빔을 조사하여 상기 나노 크리스탈의 표면에 절연막을 코팅시키는 단계를 더 포함하는 양자점 형성 방법
|
