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양자점 태양전지의 제조 방법에 있어서,(a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계,(b) 상기 실리콘 막에 형성된 상기 나노 크리스탈의 크기를 조절하는 단계 및(c) 상기 실리콘 막으로부터 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계 를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 제조 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스를 주입하는 단계 및상기 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘 막이 형성되는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 제조 방법이 수행되는 중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스 및 비활성 가스를 혼합하여 주입하는 단계 및상기 실레인(SiH4) 가스 및 상기 비활성 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘 막이 형성되는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 형성된 중성입자가 가진 에너지에 따라 상기 중성입자가 상기 아몰퍼스 실리콘 또는 상기 나노 크리스탈로 형성되는 것인 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 기판에 비활성 기체 원소 중성입자빔을 조사하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열함과 동시에, 상기 기판에 아르곤 중성입자빔을 조사하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항, 제 5 항, 제 6 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (b) 단계의 수행에 따라 상기 나노 크리스탈의 크기가 1~5nm 만큼 확대되는 것인 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는, 상기 기판에 수소 중성입자빔을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계의 수행 후에,상기 기판에 질소 중성입자빔을 조사하여 상기 나노 크리스탈의 표면을 코팅시키는 단계를 더 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 코팅시키는 단계를 수행한 후에,아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 추가로 형성하는 단계,상기 추가로 형성된 실리콘 막에 대하여 어닐링을 수행하는 단계,상기 추가로 형성된 실리콘 막으로부터 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계 및상기 아몰퍼스 실리콘이 식각된 기판에 절연막을 코팅하는 단계를 더 수행하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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양자점의 크기 조절 방법에 있어서,(a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및(b) 상기 실리콘 막이 형성된 기판에 대하여 어닐링을 수행하여 상기 나노 크리스탈의 크기를 조절하는 단계를 포함하는 양자점의 크기 조절 방법
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제 12 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 기판에 비활성 기체 원소 중성입자빔을 조사하는 단계 및 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 단계 중 하나 이상의 단계를 수행하는 것인 양자점의 크기 조절 방법
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양자점의 크기 조절 방법에 있어서,(a) 기판에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및(b) 상기 실리콘 막의 형성 중에 상기 기판에 대하여 어닐링을 수행하여 상기 나노 크리스탈의 크기를 조절하는 단계를 포함하는 양자점의 크기 조절 방법
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제 13 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 기판에 중성입자빔을 조사하는 단계 및 상기 기판을 미리 설정된 온도로 가열하는 단계 중 하나 이상의 단계를 수행하는 것인 양자점의 크기 조절 방법
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