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산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200280
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 캐리어 노도 증가에 따른 전기적 특성이 향상된 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법이 개시된다. 개시된 산화물 박막 트랜지스터는 게이트전극, 게이트전극의 적어도 일부 영역과 마주하도록 게이트 절연층을 사이에 두고 적층 증착되는 산화 채널전극 및, 상호 절연된 상태로 산화 채널전극과 각각 전기적으로 연결되도록 증착되는 소스전극 및 드레인전극을 포함하며 산화 채널전극은 아르곤(Ar) 및 헬륨(H2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스 분위기로 증착 형성된다. 이러한 구성에 의하면, 산화 채널전극의 전기적 특성 향상에 기여할 수 있을 뿐만 아니라, 표면 거칠기 하향에 따른 표면 특성 향상에 기여할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100003977 (2010.01.15)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1602834-0000 (2016.03.07)
공개번호/일자 10-2011-0083973 (2011.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20160311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
2 조영제 대한민국 전라남도 광양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0028548-80
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0424335-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0299375-15
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0305355-99
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0026887-32
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0287927-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0560371-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0560367-30
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0683133-17
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1075020-94
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-1074987-39
15 등록결정서
Decision to grant
2016.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0028110-61
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번호 청구항
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기판 상에 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트 상에 게이트 절연체를 형성하는 단계; 상기 게이트 절연체 상에 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 채널층의 표면을 플라즈마로 표면처리하는 단계를 포함하고, 상기 산화물 채널층을 형성하는 단계는, 아르곤 가스와 수소 가스를 포함하는 혼합 가스 분위기에서 스퍼터링법으로 수소가 도핑된 산화물층을 증착하는 (a) 단계; 및 아르곤 가스 분위기에서 스퍼터링법으로 수소가 미도핑된 산화물층을 증착하는 (b) 단계를 포함하고, 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계는 교번하여 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국디스플레이연구조합 정보통신 산업원천기술개발사업 차세대 디스플레이용 TFT 백플레인 기술