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전하 트랩층을 갖는 비휘발성 유기 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015201398
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 반도체층을 이용하여 효과적인 비휘발성 유기 메모리 소자를 구현하기 위하여, 터널링절연층과, 일면이 상기 터널링절연층의 일면에 대향하도록 배치된 블로킹절연층과, 상기 터널링절연층과 상기 블로킹절연층 사이에 개재되며 고분자 전해질막과 상기 고분자 전해질막의 상기 터널링절연층 방향의 면 상에 배치된 나노입자들을 포함하는 적어도 한 층의 전하트랩층과, 상기 터널링절연층의 타면 측에 배치된 유기 반도체층과, 상기 블로킹절연층의 타면 측에 배치된 게이트를 구비하는 비휘발성 유기 메모리 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020100012367 (2010.02.10)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1061053-0000 (2011.08.25)
공개번호/일자 10-2011-0092758 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이장식 대한민국 서울특별시 성북구
2 박영수 대한민국 서울특별시 양천구
3 김수진 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 박기원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0090104-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0039153-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0269927-03
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0554831-80
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0476172-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
터널링절연층;일면이 상기 터널링절연층의 일면에 대향하도록 배치된 블로킹절연층;상기 터널링절연층과 상기 블로킹절연층 사이에 개재되며, 고분자 전해질막과, 상기 고분자 전해질막의 상기 터널링절연층 방향의 면 상에 배치된 나노입자들을 포함하는, 적어도 한 층의 전하트랩층;상기 터널링절연층의 타면 측에 배치된 유기 반도체층; 및상기 블로킹절연층의 타면 측에 배치된 게이트;를 구비하는 비휘발성 유기 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 고분자 전해질막은 상호 대향된 PAH(poly(allylamine hydrochloride))층들과 그 사이에 개재된 PSS(ploly(styrenesulfonate))층을 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 터널링절연층은 산화물층인 비휘발성 유기 메모리 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 터널링절연층은 최인접 나노입자들의 측면을 덮는 비휘발성 유기 메모리 소자
5 5
터널링절연층;일면이 상기 터널링절연층의 일면에 대향하도록 배치된 블로킹절연층;상기 터널링절연층과 상기 블로킹절연층 사이에 개재되며, 유기 유전체층과, 상기 유기 유전체층의 상기 블로킹절연층 방향의 저면에 배치된 나노입자들을 포함하는 전하트랩층;상기 터널링절연층의 타면 측에 배치된 유기 반도체층; 및상기 블로킹절연층의 타면 측에 배치된 게이트;를 구비하는 비휘발성 유기 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 유기 유전체층은 상기 각 나노입자의 측면을 덮는 비휘발성 유기 메모리 소자
7 7
제5항에 있어서,상기 유기 유전체층은 PMMA(polymethylmethacrylate), PVA(polyvinyl alcohol) 및 PVP(poly(4-vinylphenol)) 중 적어도 어느 하나로 형성된 비휘발성 유기 메모리 소자
8 8
제5항에 있어서,상기 유기 유전체층과 상기 터널링절연층은 동일물질로 형성된 유기 메모리 소자
9 9
제8항에 있어서,상기 유기 유전체층과 상기 터널링절연층은 인시츄(in-situ)로 일체로 형성된 유기 메모리 소자
10 10
제5항에 있어서,상기 전하트랩층과 상기 블로킹절연층 사이에 개재되는 고분자전해질층을 더 구비하는 비휘발성 유기 메모리 소자
11 11
제10항에 있어서,상기 고분자전해질층은 PAH(poly(allylamine hydrochloride))층과 PSS(poly(styrenesulfonate))층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자
12 12
제10항에 있어서,상기 고분자전해질층은 상호 대향된 PAH(poly(allylamine hydrochloride))층들과 그 사이에 개재된 PSS(ploly(styrenesulfonate))층을 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.