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다층 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및이에 의하여 제조된 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015201431
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다층 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기 박막 트랜지스터가 제공된다. 본 발명에 따른 다층 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법은 고분자 물질을 광 또는 열로 가교시키는 단계를 포함하며, 상기 제조방법은 용액 침지가 아닌 가열 방식과 광조사 방식으로 다층 박막을 제조할 수 있으므로 제조 공정이 매우 간단하고 효과적이다. 또한, 사용자가 원하는 박막 두께와 가요성을 조절할 수 있고 부착성도 우수하여 산업적 측면에서 그 유용성이 매우 높다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/003(2013.01) H01L 51/003(2013.01) H01L 51/003(2013.01)
출원번호/일자 1020080109365 (2008.11.05)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1045783-0000 (2011.06.27)
공개번호/일자 10-2010-0050194 (2010.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정주 대한민국 서울특별시 은평구
2 조진한 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0767248-17
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0503192-94
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058126-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0441149-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0681475-39
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0681473-48
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0186990-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
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번호 청구항
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삭제
2 2
삭제
3 3
다층 박막을 기판으로 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, (a) 가교성 고분자 물질을 희생 기판 위에 도포하여 스핀 코팅하는 단계; (b) 상기 코팅된 가교성 고분자 물질을 가교시켜 다층 박막의 제 1 층을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 층에 가교성 고분자 물질을 도포하여 스핀 코팅하는 단계; (d) 상기 제 1 층에 코팅된 가교성 고분자 물질을 가교시켜 다층 박막의 제 2 층을 형성하는 단계; (e) 상기 (c) 및 (d) 단계를 반복하여 다층 박막을 형성하는 단계; (f) 상기 희생 기판 위에 형성된 다층 박막 위에 유기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 (g) 상기 희생 기판을 제거하여 프리 스탠딩 상태의 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법으로서, 상기 유기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 (f-1) 상기 희생 기판 위에 형성된 다층 박막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; (f-2) 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계; (f-3) 상기 게이트 절연층 위에 유기 반도체층을 형성하는 단계;및 (f-4) 상기 유기 반도체층 위에 소스와 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
다층 박막을 기판으로 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, (a) 가교성 고분자 물질을 희생 기판 위에 도포하여 스핀 코팅하는 단계; (b) 상기 코팅된 가교성 고분자 물질을 가교시켜 다층 박막의 제 1 층을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 층에 가교성 고분자 물질을 도포하여 스핀 코팅하는 단계; (d) 상기 제 1 층에 코팅된 가교성 고분자 물질을 가교시켜 다층 박막의 제 2 층을 형성하는 단계; (e) 상기 (c) 및 (d) 단계를 반복하여 다층 박막을 형성하는 단계; (f) 상기 희생 기판 위에 형성된 다층 박막 위에 유기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 (g) 상기 희생 기판을 제거하여 프리 스탠딩 상태의 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법으로서, 상기 유기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 (f'-1) 상기 희생 기판 위에 형성된 다층 박막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; (f'-2) 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계; (f'-3) 상기 게이트 절연층 위에 소스와 드레인 전극을 형성하는 단계 ;및 (f'-4) 상기 소스와 드레인 전극과 상기 절연층 상면 일부에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 희생 기판을 제거하는 단계는 상기 희생 기판을 친수성 용액에 용해시킴으로써 상기 희생 기판을 제거하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 가교성 고분자 물질은 광가교성 고분자 물질이며, 상기 가교 단계는 상기 가교성 고분자 물질에 광을 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 광가교성 고분자 물질은 아지드기를 가교성 기능기로 함유하는 폴리스티렌인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 가교성 고분자 물질은 열가교성 고분자 물질이며, 상기 가교 단계는 상기 가교성 고분자 물질에 열을 가함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 열가교성 고분자 물질은 폴리아믹산인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 희생 기판은 이온성 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 가교성 고분자 물질의 농도와 상기 (e) 단계의 반복 횟수를 조절함으로써 상기 다층 박막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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