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저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015201442
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 저항변화 메모리 소자 제조방법은 전이금속 전구체가 분산된 솔 상태의 용액을 젤화(gelation)시키는 단계; 상기 젤화된 전이금속 전구체를 하부 전극 상에 도포하는 단계; 상기 도포된 전이금속 전구체를 열처리하여 전이금속 산화물 박막을 제조하는 단계; 및 상기 티타늄 산화물 박막 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며, 낮은 구동 전압, 빠른 스위칭 속도, 높은 ON/OFF 비율 및 우수한 전기적 안정성과 같이 뛰어난 전기적 특성을 보이는 소자를 경제적인 방식으로 제조할 수 있게 한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020090013445 (2009.02.18)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1055406-0000 (2011.08.02)
공개번호/일자 10-2010-0094152 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이찬우 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 조진한 대한민국 서울특별시 서초구
3 김인표 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0100457-88
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0101098-68
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0133981-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0010547-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0035312-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0035313-67
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0422096-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전이금속 전구체가 분산된 솔 상태의 용액을 젤화(gelation)시키는 단계; 상기 젤화된 전이금속 전구체를 하부 전극 상에 도포하는 단계; 상기 도포된 전이금속 전구체를 열처리하여 전이금속 산화물 박막을 제조하는 단계; 및 상기 전이금속 산화물 박막 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 열처리는 비활성가스 분위기하에서 수행되는 제 1 열처리 단계; 및 산소 분위기 하에서 수행되는 제 2 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전이금속 전구체는 티타늄 알콕사이드 또는 나이오븀 알콕사이드인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 티타늄 알콕사이드는 티타늄 이소프로폭사이드이며, 상기 티타늄 이소프로폭사이드가 분산된 상기 솔 상태의 용액은 이소프로필알콜인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 나이오븀 알콕사이드는 나이오븀 에톡사이드이며, 상기 나이오븀 에톡사이드가 분산된 상기 솔 상태의 용액은 이소프로필알콜인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 젤화는 상기 솔 상태 용액에 산을 첨가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 전이금속 산화물 박막은 산소 공공을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
8 8
제 1항 내지 제 5항 또는 제 7항 중 어느 한 항에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 반도체기반 기술개발사업 차세대 고성능 유기나노소재 및 프린팅 공정기술 개발