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스위칭 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 스위칭 소자

  • 기술번호 : KST2015201711
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스위칭 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 스위칭 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 스위칭 소자 제조방법은 부 전극 상에 양이온 고분자 박막 및 음이온인 티타늄 전구체 박막을 반복적으로 적층하여, 다층 박막을 제조하는 단계; 상기 다층박막을 열처리하여, 상기 다층박막의 티타늄 전구체 박막을 티타늄 산화물 박막으로 전환시키는 단계; 및 상기 다층 박막 상에 상부 전극을 적층하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 스위칭 소자 제조방법은 금속 입자를 소자 내에 자유로이 삽입함으로써 유니폴라, 바이폴라 특성의 스위칭 소자를 자유로이 선택, 제조할 수 있다. 즉, 본 발명은 LbL 자기조립법에 의하여 제조된 다층 박막을 이용하여 전이금속 산화막 기반의 가변저항 메모리 소자를 구현하며, 특히 제조공정과 소자 특성 관점에서, 본 발명에 따른 스위칭 소자는 용액 공정으로 형성하는 유기물 소자와 진공 증착에 의한 무기물 재료 기반의 소자가 갖는 장점을 모두 갖는다. 또한 본 발명에 따른 스위칭 소자의 제조방법은 대면적 스위칭 소자의 제조를 가능하게 하며, 조절 가능한 전기적 성질을 가지면서 용액 공정으로 제조가 가능한 무기재료 기반의 가변저항 스위칭 메모리 소자를 제작하는 새로운 방법을 제공할 수 있다. 더 나아가, 상기 방법에 의하여 제조된 스위칭 소자는 7개월 이상 동안 전기적 안정성을 가지므로, 매우 안정되고, 신뢰성 있는 스위칭 소자로서 사용될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02491(2013.01) H01L 21/02491(2013.01) H01L 21/02491(2013.01) H01L 21/02491(2013.01) H01L 21/02491(2013.01) H01L 21/02491(2013.01)
출원번호/일자 1020090013423 (2009.02.18)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1034333-0000 (2011.05.03)
공개번호/일자 10-2010-0094136 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인표 대한민국 서울특별시 은평구
2 조진한 대한민국 서울특별시 서초구
3 이찬우 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0101098-68
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0100318-40
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0014279-00
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0133988-72
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065665-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525892-97
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0035307-93
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0035305-02
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0162452-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
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번호 청구항
1 1
하부 전극 상에 고분자 박막 및 티타늄 전구체 박막을 반복적으로 적층하여, 다층 박막을 제조하는 단계; 상기 다층박막을 열처리하여, 상기 다층박막의 티타늄 전구체 박막을 티타늄 산화물 박막으로 전환시키는 단계; 및 상기 다층 박막 상에 상부 전극을 적층하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 다층박막의 열처리는 무산소 조건인 질소 분위기하에서 수행되는 열처리 단계와, 상기 질소 분위기 하에서 수행된 열처리 단계 후 산소 분위기 하에서 수행되는 열처리 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 다층박막은 LbL 자기조립법에 의하여 적층되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 고분자는 폴리(알릴아민 하이드로클로라이드)(PAH)이고, 상기 티타늄 전구체는 티타늄(IV) 비스(암모늄 락테이트)디하이드록사이드(TALH)인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 다층박막은 금속 나노입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 삽입량에 따라 상기 스위칭 소자의 바이폴라 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 3항, 제 5항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 따른 스위칭 소자 제조방법에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
8 8
제 7항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 상, 하부 전극 및 상기 전극 사이에 게재되는 다층박막을 포함하며, 상기 다층박막은 티타늄 산화물 박막 및 고분자 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 티타늄 산화물 박막은 티타늄(IV) 비스(암모늄 락테이트)디하이드록사이드(TALH)를 열처리함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
10 10
제 8항에 있어서, 상기 다층박막은 금속나노입자를 더 포함하며, 상기 스위칭 소자는 상기 다층박막의 층수가 증가할수록 스위칭 소자의 ON/OFF 비율이 증가하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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1 지식경제부 서울대학교 반도체기반 기술개발사업 차세대 고성능 유기나노소재 및 프린팅 공정기술 개발