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광 감응성 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015209357
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 게이트 전극, 절연층, 소스 및 드레인 전극, 및 유기 활성층으로 구성된 유기 박막 트랜지스터로서, 외부 광이 입사되는 방향을 기준으로, 게이트 전극이 소스 전극 또는 드레인 전극과 중첩되는 부위를 포함하는 제 1 영역과, 게이트 전극이 유기 활성층과 중첩되지 않는 부위를 포함하는 제 2 영역을 가지고 있어서, 외부 광에 의해 온 상태(On-State) 전류를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 27/30(2013.01) H01L 27/30(2013.01)
출원번호/일자 1020090078481 (2009.08.25)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1048676-0000 (2011.07.06)
공개번호/일자 10-2011-0020975 (2011.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종선 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 박재훈 대한민국 서울시 노원구
3 이신두 대한민국 서울특별시 동작구
4 배진혁 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손창규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** *동 ****호(역삼동, 성지하이츠*차빌딩)(글로벌혜성특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0518754-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005270-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0091418-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0269174-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0269198-78
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0287593-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 게이트 전극, 절연층, 소스 및 드레인 전극, 및 유기 활성층으로 구성된 유기 박막 트랜지스터로서, 서로 분리되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극과 드레인 전극에 각각 접하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널(channel)을 형성하는 유기 활성층; 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 유기 활성층과 절연된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 유기 활성층으로부터 절연시키는 게이트 절연막;을 포함하고, 외부 광이 입사되는 방향을 기준으로, 게이트 전극이 소스 전극 또는 드레인 전극과 중첩되는 부위를 포함하는 제 1 영역과, 게이트 전극이 유기 활성층과 중첩되지 않는 부위를 포함하는 제 2 영역을 가지고 있어서, 외부 광에 의해 온 상태(On-State) 전류를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 게이트 전극이 소스 전극과 중첩되어 있는 부위인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 게이트 전극이 드레인 전극과 중첩되어 있는 부위인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 외부 광은 기판의 하부 층을 통해 입사되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 기판의 하부 층에는 입사되는 외부 광에 대해 적어도 유기 활성층의 일부가 노출될 수 있도록 블랙 매트릭스(Black Matrix)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 입사되는 외부 광에 대해 제 1 영역은 차폐되고 제 2 영역의 적어도 일부가 차폐되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 제 2 영역 중 유기 활성층이 소스 전극 및 드레인 전극과 중첩되는 부위를 차폐하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.