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강유전체 박막 캐패시터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015209709
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 Pb(Zr,Ti)O3(이하, PZT라 한다) 강유전체 박막 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, PZT 박막 캐패시터에 있어서 FRAM용 메모리 소자에 적합하게 피로특성을 크게 향상시켰다. 즉, Si/SiO2 기판 상에 형성되는 Ti 접착층, 하부 Pt전극, PZT 박막, 상부 Pt 전극을 포함하여 구성되는 강유전체 박막 캐패시터의 구조에 있어서, 상기 하부 Pt전극과 상기 PZT 박막 간의 계면, 또는 상기 상부 Pt 전극과 상기 PZT 박막 간의 계면 중 적어도 어느 하나 이상의 계면에 버퍼를 5 내지 20nm 두께로 삽입하였고, 상기 버퍼조성은 (Pb1-xAx)TiO3계(이 때, 0＜x＜1; A는 La, Nd, Sb, Bi, Sr, Ca, Y 중의 적어도 어느 하나 이상의 원소)로 하여 강유전체 박막 캐패시터를 제조한 결과, 우수한 피로특성을 나타내었다. 강유전, PZT, 박막, 캐패시터, FRAM, 메모리, 버퍼, 피로, 히스테리시스, 분극, 스위칭, 증착, Si, Ti, Pb, Zr, Ti, La, Nd, Sb, Bi, Sr, Ca, Y, Pt, 공공
Int. CL	H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC	H01L 27/101(2013.01) H01L 27/101(2013.01)
출원번호/일자	1020040057145 (2004.07.22)
출원인	학교법인연세대학교
등록번호/일자	10-0637770-0000 (2006.10.17)
공개번호/일자	10-2006-0007779 (2006.01.26) 문서열기
공고번호/일자	(20061025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.07.22)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	학교법인연세대학교	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이상렬	대한민국	서울특별시 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이두희	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *(역삼동) 한신인터밸리 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소)
2	이훈	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *, 한신인터밸리 서관 **호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단		서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.07.22	수리 (Accepted)	1-1-2004-0325167-24
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.03.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0134793-87
3	의견서 Written Opinion	2006.05.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0319624-72
4	등록결정서 Decision to grant	2006.09.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0532083-14
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.11.05	수리 (Accepted)	4-1-2010-5207014-07
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.11.29	수리 (Accepted)	4-1-2010-5224078-51

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 Pb(Zr,Ti)O3(이하, PZT라 한다) 박막과 전극을 포함하여 구성되는 강유전체 박막 캐패시터에 있어서, 상기 강유전체 박막 캐패시터는 상기 PZT 박막과 상기 전극 간의 계면들 중 적어도 어느 하나 이상의 계면에 삽입되는 버퍼를 더 포함하며, 상기 버퍼는 (Pb1-xAx)TiO3계(이 때, 0＜x＜1) 조성으로 되고, 이 때 A는 상기 계면에서 휘발하는 Pb의 자리를 치환가능한 비휘발성 원소로 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터
2	2 Si/SiO2 기판 상에 형성되는 Ti 접착층, 하부 Pt전극, PZT 박막, 상부 Au전극을 포함하여 구성되는 강유전체 박막 캐패시터에 있어서, 상기 강유전체 박막 캐패시터는 상기 하부 Pt전극과 상기 PZT 박막 간의 계면, 또는 상기 상부 Au전극과 상기 PZT 박막 간의 계면 중 적어도 어느 하나 이상의 계면에 형성되는 버퍼를 더 포함하며, 상기 버퍼는 (Pb1-xAx)TiO3계(이 때, 0＜x＜1) 조성으로 되고, 이 때 A는 상기 계면에서 휘발하는 Pb의 자리를 치환가능한 비휘발성 원소로 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 A는 La, Nd, Sb, Bi, Sr, Ca, Y 중의 적어도 어느 하나 이상의 원소로 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터
4	4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 버퍼의 두께는 5 내지 20nm로 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터
5	5 Si/SiO2 기판 상에 Ti 접착층 및 하부 Pt전극을 증착하는 제 1단계와; 상기 하부 Pt전극 상에 하부 버퍼를 증착하는 제 2단계와; 상기 하부 버퍼 상에 PZT 박막을 증착하는 제 3단계와; 상기 PZT 박막 상에 상부 Au전극을 증착하는 제 4단계로 이루어지며, 상기 하부 버퍼는 5 내지 20nm 두께로 형성되고, (Pb1-xAx)TiO3계( 0＜x＜1) 조성으로 되며, 이 때 A는 La, Nd, Sb, Bi, Sr, Ca, Y 중의 적어도 어느 하나 이상의 원소로 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터의 제조방법
6	6 제 5항에 있어서, 상기 제 3단계는 상기 PZT 박막을 증착한 후, 상기 PZT 박막 상에 상부 버퍼를 증착하는 공정을 더 포함하며, 상기 상부 버퍼는 상기 하부 버퍼와 동일한 두께와 조성으로 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터의 제조방법
7	7 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제 2단계 및 상기 제 3단계는 펄스 레이저 증착법(PLD), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD), 스퍼터링 중의 적어도 어느 하나 이상의 방법에 의하여 증착하는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터의 제조방법
8	8 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제 2단계 및 상기 제 3단계는 펄스 레이저 증착법에 의하여 증착하며, 레이저로는 Nd:YAG 레이저를 사용하고, 상기 레이저의 에너지 밀도는 3J/cm2, 산소 분압은 200mTorr, 기판과 타겟 간 거리는 5cm로 하여 증착하는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터의 제조방법
9	8 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제 2단계 및 상기 제 3단계는 펄스 레이저 증착법에 의하여 증착하며, 레이저로는 Nd:YAG 레이저를 사용하고, 상기 레이저의 에너지 밀도는 3J/cm2, 산소 분압은 200mTorr, 기판과 타겟 간 거리는 5cm로 하여 증착하는 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 캐패시터의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0637770-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20040722 출원 번호 : 1020040057145 공고 연월일 : 20061025 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060913 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 강유전체 박막 캐패시터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20111018

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 학교법인연세대학교 서울 서대문구...
2	(의무자) 학교법인 연세대학교 서울특별시 서대문구...
2	(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2006년 10월 18일	납입
제 4 년분	금 액	216,000 원	2009년 10월 14일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2010년 10월 15일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.07.22	수리 (Accepted)	1-1-2004-0325167-24
2	의견제출통지서	2006.03.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0134793-87
3	의견서	2006.05.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0319624-72
4	등록결정서	2006.09.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0532083-14
5	출원인정보변경(경정)신고서	2010.11.05	수리 (Accepted)	4-1-2010-5207014-07
6	출원인정보변경(경정)신고서	2010.11.29	수리 (Accepted)	4-1-2010-5224078-51

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