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저전력으로 쓰기 동작이 가능한 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 쓰기 동작 제어 방법(MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY FOR PERFORMING WRITE OPERATION WITH LOW POWER AND METHOD OF CONTROLLING THE WRITE OPERATION)

  • 기술번호 : KST2015225739
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저전력으로 쓰기 동작이 가능한 자기 저항 메모리 장치, 특히 STT-MRAM 및 이에 있어서 쓰기 동작 제어 방법이 개시된다. 상기 자기 저항 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 가지는 어레이, 상기 메모리 셀들의 쓰기 동작을 제어하는 동작 드라이버 및 상기 메모리 셀들 중 특정 메모리 셀의 쓰기 동작이 완료된 경우 상기 쓰기 동작의 완료를 검출하는 쓰기 완료 검출부를 포함한다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 7/10 (2015.01.01)
CPC G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01)
출원번호/일자 1020140054051 (2014.05.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0127371 (2015.11.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상규 대한민국 서울특별시 송파구
2 신광섭 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0427591-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0461244-27
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0038090-35
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0437436-49
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0898699-27
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0898698-82
12 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0700033-56
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 메모리 셀들을 가지는 어레이;상기 메모리 셀들의 쓰기 동작을 제어하는 동작 드라이버; 및상기 메모리 셀들 중 특정 메모리 셀의 쓰기 동작이 완료된 경우 상기 쓰기 동작의 완료를 검출하는 쓰기 완료 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 어레이는 기준 셀을 더 포함하고 상기 쓰기 완료 검출부는 비교기를 포함하되,상기 비교기는 상기 기준 셀의 MJT의 저항 상태에 따른 기준 전압과 쓰기 전류 인가에 따른 상기 특정 메모리 셀의 저항에 해당하는 쓰기 전압을 비교하여 상기 쓰기 동작의 완료를 검출하며, 상기 기준 전압은 데이터 "0"에 해당하는 MTJ의 저항과 데이터 "1"에 해당하는 MTJ의 저항의 중간 저항에 해당하는 전압인 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 비교기의 비반전 단자는 다른 어레이에 연결되고, 반전 단자는 상기 어레이에서 상기 메모리 셀들과 상기 기준 셀이 만나는 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
4 4
제2항에 있어서, 상기 쓰기 완료 검출부는 상기 비교기의 출력단에 연결되는 인버터를 더 포함하되,상기 인버터의 출력 신호인 쓰기 동작 완료 신호는 상기 동작 드라이버로 제공되며, 상기 동작 드라이버는 로우 로직을 가지는 쓰기 동작 완료 신호가 입력됨에 따라 상기 쓰기 동작을 종료시키는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
5 5
제2항에 있어서, 상기 비교기의 비반전 단자에는 상기 기준 전압을 위한 제 1 캐패시터가 연결되고, 반전 단자에는 상기 쓰기 전압을 위한 제 2 캐패시터가 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 쓰기 완료 검출부는 상기 특정 메모리 셀에 기존에 저장된 데이터와 기록될 데이터가 동일한 경우뿐만 아니라 기존에 저장된 데이터와 기록될 데이터가 다를 경우에도 상기 특정 메모리 셀의 MTJ의 저항 상태 전환을 감지하여 상기 쓰기 동작의 완료를 검출하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
7 7
기준 셀 및 메모리 셀들을 가지는 어레이; 및상기 메모리 셀들 중 특정 메모리 셀로 제공되는 쓰기 전류에 따른 상기 특정 메모리 셀의 MTJ의 저항 상태 전환을 감지하여 쓰기 동작의 완료를 검출하는 쓰기 완료 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 쓰기 완료 검출부는 상기 기준 셀을 이용한 기준 전압과 상기 MTJ의 저항 상태에 해당하는 쓰기 전압을 비교하여 상기 MTJ의 저항 상태 전환을 검출하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업/ 산업융합원천기술개발사업/ 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(RCMS) 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구