요약 | 마그네틱 도메인의 이동현상을 이용한 마그네틱 메모리 및 이의 동작방법이 개시된다. 데이터의 입력은 입력 자유층의 자화 방향의 설정에 의해 수행된다. 데이터의 입력은 거대자기저항 소자를 가지는 데이터 입력부를 통해 수행된다. 또한, 입력 자유층에 셋팅된 자화 방향이 설정된 도메인은 바이어스의 인가에 따라 다수의 자유층으로 구성된 데이터 저장층으로 이동한다. 특정의 위치에서는 자기터널접합을 통해 데이터의 출력이 수행된다. |
---|---|
Int. CL | G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 5/02 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01) |
CPC | G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110022775 (2011.03.15) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1236116-0000 (2013.02.15) |
공개번호/일자 | 10-2012-0105154 (2012.09.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130221) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.03.15) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박완준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.03.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0187288-88 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0462033-63 |
3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.10.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0812952-15 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0812929-75 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.02.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0088420-91 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 거대자기저항 소자를 가지는 데이터 입력부;상기 데이터 입력부에 기록된 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장부; 및상기 데이터 저장부와 자기터널접합을 구성하는 데이터 출력부를 포함하고,상기 데이터 입력부는,상기 데이터 저장부와 연결된 입력 자유층;상기 입력 자유층 상에 형성되고, 금속물을 가지는 비자성 금속층; 및상기 비자성 금속층 상에 형성되고, 자화방향이 고정된 입력 고정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네틱 메모리 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 데이터 입력부는 스핀전달토크 방식을 이용하여, 상기 입력 자유층의 자화 방향을 결정하는 것을 특징으로 하는 마그네틱 메모리 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 입력 자유층은 설정된 마그네틱 도메인을 인가되는 전압에 따라 상기 데이터 저장부에 전달하는 상기 마그네틱 도메인의 이동을 수행하는 것을 특징으로 하는 마그네틱 메모리 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 데이터 저장부는,자화 도메인을 가지는 데이터 자유층; 및상기 데이터 출력부와 자기터널접합을 형성하는 읽기대상 자유층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네틱 메모리 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 데이터 출력부는,자화방향이 고정된 데이터 고정층; 및상기 데이터 고정층 상에 형성되고, 상기 읽기대상 자유층과 접하는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네틱 메모리 |
7 |
7 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한양대학교 산학협력단 | 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) | 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM |
특허 등록번호 | 10-1236116-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110315 출원 번호 : 1020110022775 공고 연월일 : 20130221 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130207 청구범위의 항수 : 5 유별 : G11C 11/15 발명의 명칭 : 마그네틱 도메인의 이동을 이용하는 마그네틱 메모리 및 동작방법 존속기간(예정)만료일 : 20180216 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2013년 02월 15일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2015년 12월 14일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.03.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0187288-88 |
2 | 의견제출통지서 | 2012.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0462033-63 |
3 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.10.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0812952-15 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0812929-75 |
5 | 등록결정서 | 2013.02.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0088420-91 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014059718 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 마그네틱 도메인의 이동을 이용하는 마그네틱 메모리 및 동작방법 |
기술개요 |
마그네틱 도메인의 이동현상을 이용한 마그네틱 메모리 및 이의 동작방법이 개시된다. 데이터의 입력은 입력 자유층의 자화 방향의 설정에 의해 수행된다. 데이터의 입력은 거대자기저항 소자를 가지는 데이터 입력부를 통해 수행된다. 또한, 입력 자유층에 셋팅된 자화 방향이 설정된 도메인은 바이어스의 인가에 따라 다수의 자유층으로 구성된 데이터 저장층으로 이동한다. 특정의 위치에서는 자기터널접합을 통해 데이터의 출력이 수행된다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | MRAM의 소자 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345158165 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093249 |
연구과제명 | 형태변환형 정보 입력용 센서 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415115588 |
---|---|
세부과제번호 | KI002189 |
연구과제명 | 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한양대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415108075 |
---|---|
세부과제번호 | KI002189 |
연구과제명 | 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한양대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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