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소자 영역 및 배선 영역을 포함하는 희생 기판을 제공하는 것;상기 희생 기판 상에 차례로 희생층 및 버퍼층을 형성하는 것;상기 소자 영역의 상기 버퍼층 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 것;상기 소자 영역 내에서 상기 박막 트랜지스터를 감싸는 소자 보호부를 형성하는 것;상기 소자 보호부가 형성된 상기 버퍼층 상에 신축성 기판을 형성하는 것; 및상기 희생층을 제거하여 상기 희생 기판을 분리시킴으로써 상기 버퍼층의 표면을 노출시키는 것을 포함하되,상기 소자 영역의 상기 신축성 기판은 편평한 표면, 상기 배선 영역의 상기 신축성 기판은 굴곡진 표면을 가지며,상기 배선 영역의 상기 버퍼층 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 도전 라인들이 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 희생층을 제거하는 것은 레이저 리프트 오프 방식을 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소자 보호부를 형성하는 것은 잉크젯 프린팅 공정을 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소자 보호부를 형성하는 것은 포토리소그래피 공정을 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소자 보호부를 이루는 물질의 영률(Young's modulus)이 상기 신축성 기판을 이루는 물질의 영률보다 큰 반도체 소자의 제조 방법
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소자 영역 및 배선 영역을 포함하는 신축성 기판;상기 소자 영역의 상기 신축성 기판 내에 함몰된 박막 트랜지스터;상기 소자 영역에서 상기 박막 트랜지스터를 감싸며 상기 박막 트랜지스터와 상기 신축성 기판 사이에 형성된 소자 보호부; 및상기 박막 트랜지스터 및 상기 소자 보호부가 형성된 상기 신축성 기판을 덮는 버퍼층을 포함하되,상기 소자 영역의 상기 신축성 기판은 편평한 표면, 상기 배선 영역의 상기 신축성 기판은 굴곡진 표면을 가지며,상기 배선 영역의 상기 버퍼층 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 도전 라인들이 형성되는 반도체 소자
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제7항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는:게이트 전극;상기 게이트 전극 아래에 형성된 활성층;상기 게이트 전극과 상기 활성층 사이의 게이트 절연막; 및상기 활성층 하에 서로 이격하고, 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는:활성층;상기 활성층 아래에 형성된 게이트 전극;상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 전극 양측에 서로 이격하고, 상기 활성층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 소자 보호부를 이루는 물질의 영률(Young's modulus)이 상기 신축성 기판을 이루는 물질의 영률보다 큰 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 소자 보호부는 폴리이미드(polyimide), 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 하드 폴리다이메틸실록세인(hard polydimethylsiloxane, h-PDMS) 중에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어진 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 소자 보호부는 산화 알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNx) 중에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어진 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 소자 보호부는 복수 개의 층들로 이루어진 반도체 소자
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